半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202110592416.7

申请日：

2021-05-28

公开(公告)号：

CN113380796B

公开(公告)日：

2024-01-09

发明(设计)人：

游佳达徐晓秋杨丰诚

申请人：

台湾积体电路制造股份有限公司

申请人地址：

中国台湾新竹

IPC主分类号：

H01L27/088

IPC分类号：

H01L27/092 H01L21/8234 H01L21/8238

代理机构：

北京德恒律治知识产权代理有限公司 11409

代理人：

章社杲;李伟

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-09	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

陈冠霖 ;

江国诚 ;

朱熙甯 ;

王志豪 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN113224057A ,2021-08-06

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

姚茜甯 ;

杨柏峰 ;

杨世海 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113192888A ,2021-07-30

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

游佳达 ;

徐晓秋 ;

杨丰诚 .

中国专利 :CN113380796A ,2021-09-10

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109950313A ,2019-06-28

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

彭宇凡 ;

彭远清 ;

吴于贝 ;

吕侑珊 ;

赖宏裕 ;

陈贞妤 ;

王文昀 ;

李唐明 .

中国专利 :CN115497875A ,2022-12-20

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 .

中国专利 :CN116250087A8 ,2024-05-17

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

姚茜甯 ;

杨柏峰 ;

杨世海 ;

程冠伦 ;

王志豪 .

中国专利 :CN113192888B ,2024-03-22

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

陈冠霖 ;

江国诚 ;

朱熙甯 ;

王志豪 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN113224057B ,2024-11-08

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN108573868A ,2018-09-25

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

S·W·比德尔 ;

B·赫克玛特绍塔巴里 ;

A·卡基菲鲁兹 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103730403B ,2014-04-16

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