一种用于导模法生长氧化镓晶体的方法及“V”型模具

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311314630.1

申请日：

2023-10-12

公开(公告)号：

CN117552090A

公开(公告)日：

2024-02-13

发明(设计)人：

王英民王健霍晓青周金杰张胜男高飞张弛于凯周传新

申请人：

中国电子科技集团公司第四十六研究所

申请人地址：

300220 天津市河西区洞庭路26号

IPC主分类号：

C30B15/34

IPC分类号：

C30B29/16 C30B27/02 C30B15/14 C30B15/22

代理机构：

天津中环专利商标代理有限公司 12105

代理人：

杨舒文

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-13	公开	公开
2024-03-01	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 15/34申请日:20231012

共 50 条

[1]

一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的方法及生长模具 [P].

王英民 ;

霍晓青 ;

王健 ;

张胜男 ;

李宝珠 ;

郝建民 ;

程红娟 ;

周金杰 .

中国专利 :CN117552091A ,2024-02-13

[2]

一种导模法生长氧化镓晶体的方法 [P].

齐红基 ;

陈端阳 ;

赛青林 .

中国专利 :CN113957519B ,2022-01-21

[3]

导模法生长氧化镓晶体的装置及氧化镓晶体的生长方法 [P].

齐红基 ;

邓淇元 ;

秦娟 .

中国专利 :CN120330874A ,2025-07-18

[4]

一种用于导模法生长氧化镓晶体的监控系统及氧化镓晶体制备方法 [P].

齐红基 ;

赛青林 ;

陈端阳 .

中国专利 :CN113026103B ,2021-06-25

[5]

一种导模法生长氧化镓晶体的方法 [P].

夏宁 ;

王琤 .

中国专利 :CN118996611A ,2024-11-22

[6]

一种导模法生长氧化镓晶体的方法 [P].

齐红基 ;

赛青林 ;

陈端阳 .

中国专利 :CN114086244B ,2022-02-25

[7]

一种导模法生长氧化镓晶体的模具与生长方法 [P].

刘皓月 ;

秦娟 ;

齐红基 ;

何林波 .

中国专利 :CN118854435A ,2024-10-29

[8]

一种导模法生长氧化镓晶体的生长装置 [P].

齐红基 ;

赛青林 .

中国专利 :CN215976134U ,2022-03-08

[9]

一种导模法生长大尺寸氧化镓晶体的模具 [P].

齐红基 ;

赛青林 ;

张龙 .

中国专利 :CN214458442U ,2021-10-22

[10]

一种用于导模法生长氧化镓单晶的模具及氧化镓单晶生长方法 [P].

潘明艳 ;

纪为国 ;

姜博文 ;

范骐鸣 ;

张璐 ;

吕聪 ;

吴逸晨 ;

齐红基 ;

赛青林 ;

贾宁 ;

王斌 ;

夏长泰 .

中国专利 :CN119980444A ,2025-05-13

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