发光芯片外延层、发光芯片及发光芯片外延层制作方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202211425550.9
申请日
2022-11-14
公开(公告)号
CN118039761A
公开(公告)日
2024-05-14
发明(设计)人
黄兆斌 荀利凯
申请人
重庆康佳光电技术研究院有限公司
申请人地址
402760 重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号(1号厂房)
IPC主分类号
H01L33/12
IPC分类号
H01L33/06 H01L33/00
代理机构
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281
代理人
李发兵
法律状态
实质审查的生效
国省代码
重庆市 市辖区
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共 50 条
[1]
发光芯片外延层及制作方法和发光芯片 [P]. 
荀利凯 ;
唐毓英 ;
董宏伟 ;
陈晓峰 .
中国专利 :CN120282595A ,2025-07-08
[2]
发光芯片外延层及制作方法和发光芯片 [P]. 
荀利凯 ;
唐毓英 ;
董宏伟 ;
陈晓峰 .
中国专利 :CN120282597A ,2025-07-08
[3]
发光芯片外延层及制作方法和发光芯片 [P]. 
荀利凯 ;
唐毓英 ;
董宏伟 ;
陈晓峰 ;
刘勇兴 .
中国专利 :CN120282594A ,2025-07-08
[4]
GaN基发光芯片外延层及其制作方法、发光芯片 [P]. 
荀利凯 ;
唐毓英 .
中国专利 :CN118136741A ,2024-06-04
[5]
一种发光芯片外延层及制作方法、发光芯片 [P]. 
牛群磊 ;
忻海辉 .
中国专利 :CN120112016A ,2025-06-06
[6]
一种发光芯片外延层及发光芯片 [P]. 
黄兆斌 ;
杨伟 ;
苏建光 ;
荀利凯 ;
唐毓英 .
中国专利 :CN119486398A ,2025-02-18
[7]
外延层及其制作方法和发光芯片 [P]. 
荀利凯 ;
唐毓英 ;
董宏伟 .
中国专利 :CN118335860A ,2024-07-12
[8]
外延层及其制作方法和发光芯片 [P]. 
唐毓英 ;
荀利凯 .
中国专利 :CN118335859A ,2024-07-12
[9]
发光芯片、发光芯片外延层及其生长方法 [P]. 
黄兆斌 .
中国专利 :CN118369777A ,2024-07-19
[10]
发光芯片外延片及其制作方法、发光芯片 [P]. 
周毅 ;
黄国栋 ;
刘勇兴 .
中国专利 :CN114038958A ,2022-02-11