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发光芯片外延层及制作方法和发光芯片

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410004214.X
申请日：
2024-01-02
公开(公告)号：
CN120282594A
公开(公告)日：
2025-07-08
发明(设计)人：
荀利凯 唐毓英 董宏伟 陈晓峰 刘勇兴
申请人：
重庆康佳光电科技有限公司
申请人地址：
402760 重庆市璧山区璧泉街道钨山路69号（1号厂房）
IPC主分类号：
H10H20/812
IPC分类号：
H10H20/01
代理机构：
深圳鼎合诚知识产权代理有限公司 44281
代理人：
李发兵
法律状态：
公开
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-07-08 公开 公开
2025-07-25 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/812申请日:20240102
共 50 条
[1]
发光芯片外延层及制作方法和发光芯片 [P]. 
荀利凯 ;
唐毓英 ;
董宏伟 ;
陈晓峰 .
中国专利 :CN120282595A ,2025-07-08
[2]
发光芯片外延层及制作方法和发光芯片 [P]. 
荀利凯 ;
唐毓英 ;
董宏伟 ;
陈晓峰 .
中国专利 :CN120282597A ,2025-07-08
[3]
发光芯片外延层、发光芯片及发光芯片外延层制作方法 [P]. 
黄兆斌 ;
荀利凯 .
中国专利 :CN118039761A ,2024-05-14
[4]
外延层及其制作方法和发光芯片 [P]. 
荀利凯 ;
唐毓英 ;
董宏伟 .
中国专利 :CN118335860A ,2024-07-12
[5]
外延层及其制作方法和发光芯片 [P]. 
唐毓英 ;
荀利凯 .
中国专利 :CN118335859A ,2024-07-12
[6]
一种发光芯片外延层及制作方法、发光芯片 [P]. 
牛群磊 ;
忻海辉 .
中国专利 :CN120112016A ,2025-06-06
[7]
GaN基发光芯片外延层及其制作方法、发光芯片 [P]. 
荀利凯 ;
唐毓英 .
中国专利 :CN118136741A ,2024-06-04
[8]
一种发光芯片外延结构及其制作方法和发光芯片 [P]. 
杨静雯 ;
杨涛 ;
张青洲 ;
杨顺贵 .
中国专利 :CN114038957A ,2022-02-11
[9]
发光芯片外延片及其制作方法、发光芯片 [P]. 
周毅 ;
黄国栋 ;
刘勇兴 .
中国专利 :CN114038958A ,2022-02-11
[10]
发光芯片的外延层及其生长方法、发光芯片、显示面板 [P]. 
孙威威 .
中国专利 :CN117976787A ,2024-05-03
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