半导体制造方法及半导体结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311451834.X
申请日
2023-11-02
公开(公告)号
CN117457580A
公开(公告)日
2024-01-26
发明(设计)人
郝广信 曹学文 颜天才 杨列勇
申请人
物元半导体技术(青岛)有限公司
申请人地址
266111 山东省青岛市城阳区棘洪滩街道锦盛二路金岭片区社区中心430室
IPC主分类号
H01L21/768
IPC分类号
H01L23/48
代理机构
青岛清泰联信知识产权代理有限公司 37256
代理人
栾瑜
法律状态
公开
国省代码
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共 50 条
[1]
半导体制造方法及半导体结构 [P]. 
苟学鑫 ;
曹学文 ;
李亨 ;
颜天才 ;
杨列勇 .
中国专利 :CN117766459A ,2024-03-26
[2]
半导体制造方法及半导体结构 [P]. 
华逢钊 ;
黄耀贤 ;
郝广信 ;
王全 ;
王燕琳 .
中国专利 :CN117690867A ,2024-03-12
[3]
半导体制造方法及半导体结构 [P]. 
刘文俊 .
中国专利 :CN117747543A ,2024-03-22
[4]
半导体制造方法及半导体结构 [P]. 
盛洪斌 ;
曹学文 ;
颜天才 ;
杨列勇 .
中国专利 :CN118969715A ,2024-11-15
[5]
半导体制造方法及半导体结构 [P]. 
董春燕 ;
曹学文 ;
李亨 ;
颜天才 ;
杨列勇 .
中国专利 :CN118156221A ,2024-06-07
[6]
半导体制造方法及半导体结构 [P]. 
林本付 ;
郭顺华 ;
杨同同 .
中国专利 :CN119864322A ,2025-04-22
[7]
半导体结构及半导体制造方法 [P]. 
刘承勋 ;
古进誉 ;
王荣德 ;
谢维伦 ;
王家桦 ;
陈正泓 ;
蔡佩杏 .
中国专利 :CN108122855A ,2018-06-05
[8]
半导体制造方法及半导体结构 [P]. 
王文彬 ;
曹学文 ;
李亨 ;
颜天才 ;
杨列勇 .
中国专利 :CN118280834B ,2025-10-31
[9]
半导体制造方法及半导体结构 [P]. 
郭顺华 ;
林本付 ;
包凡良 .
中国专利 :CN117877972A ,2024-04-12
[10]
半导体制造方法及半导体结构 [P]. 
王文彬 ;
曹学文 ;
李亨 ;
颜天才 ;
杨列勇 .
中国专利 :CN118280834A ,2024-07-02