半导体制造方法及半导体结构

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202510336105.2

申请日：

2025-03-21

公开(公告)号：

CN119864322A

公开(公告)日：

2025-04-22

发明(设计)人：

林本付郭顺华杨同同

申请人：

物元半导体技术（青岛）有限公司

申请人地址：

266111 山东省青岛市城阳区棘洪滩街道锦盛二路金岭片区社区中心430室

IPC主分类号：

H01L21/768

IPC分类号：

H01L23/538

代理机构：

青岛清泰联信知识产权代理有限公司 37256

代理人：

栾瑜

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-22	公开	公开
2025-05-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/768申请日:20250321

共 50 条

[1]

半导体制造方法及半导体结构 [P].

董春燕 ;

曹学文 ;

李亨 ;

颜天才 ;

杨列勇 .

中国专利 :CN118156221A ,2024-06-07

[2]

半导体制造方法及半导体结构 [P].

苟学鑫 ;

曹学文 ;

李亨 ;

颜天才 ;

杨列勇 .

中国专利 :CN117766459A ,2024-03-26

[3]

半导体制造方法及半导体结构 [P].

华逢钊 ;

黄耀贤 ;

郝广信 ;

王全 ;

王燕琳 .

中国专利 :CN117690867A ,2024-03-12

[4]

半导体制造方法及半导体结构 [P].

郝广信 ;

曹学文 ;

颜天才 ;

杨列勇 .

中国专利 :CN117457580A ,2024-01-26

[5]

半导体制造方法及半导体结构 [P].

刘文俊 .

中国专利 :CN117747543A ,2024-03-22

[6]

半导体制造方法及半导体结构 [P].

盛洪斌 ;

曹学文 ;

颜天才 ;

杨列勇 .

中国专利 :CN118969715A ,2024-11-15

[7]

半导体制造工艺及半导体结构 [P].

思尔希喜亚姆 ;

海内克劳尔思 .

中国专利 :CN103426825B ,2013-12-04

[8]

半导体结构及半导体制造方法 [P].

刘承勋 ;

古进誉 ;

王荣德 ;

谢维伦 ;

王家桦 ;

陈正泓 ;

蔡佩杏 .

中国专利 :CN108122855A ,2018-06-05

[9]

半导体制造方法及半导体结构 [P].

王文彬 ;

曹学文 ;

李亨 ;

颜天才 ;

杨列勇 .

中国专利 :CN118280834B ,2025-10-31

[10]

半导体制造方法及半导体结构 [P].

郭顺华 ;

林本付 ;

包凡良 .

中国专利 :CN117877972A ,2024-04-12

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