晶圆键合方法及半导体结构

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311575896.1
申请日
2023-11-23
公开(公告)号
CN117727640A
公开(公告)日
2024-03-19
发明(设计)人
梁娜
申请人
上海先进半导体制造有限公司
申请人地址
200030 上海市徐汇区虹漕路385号
IPC主分类号
H01L21/50
IPC分类号
H01L23/544 G03F7/20
代理机构
华进联合专利商标代理有限公司 44224
代理人
方高明
法律状态
公开
国省代码
上海市
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共 50 条
[1]
晶圆键合结构及晶圆键合方法 [P]. 
吉亚莉 .
中国专利 :CN114121767B ,2022-03-01
[2]
半导体结构、半导体器件、电子设备及晶圆键合方法 [P]. 
王磊 ;
张利 ;
丁肇夷 ;
蒋府龙 ;
刘金强 ;
杨磊 .
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[3]
晶圆键合方法及半导体产品 [P]. 
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高新箐 ;
刘晓蕊 ;
陈启原 ;
何斌 ;
王术 ;
谭司丞 .
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[4]
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[5]
半导体结构及其制造方法与晶圆键合方法 [P]. 
庄凌艺 .
中国专利 :CN115274459B ,2025-01-10
[6]
半导体结构及其制造方法与晶圆键合方法 [P]. 
庄凌艺 .
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[7]
晶圆键合方法、晶圆及晶圆键合结构 [P]. 
缪威 .
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[8]
晶圆键合方法以及晶圆键合结构 [P]. 
施林波 ;
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[9]
晶圆键合结构和晶圆键合方法 [P]. 
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项敏 ;
李红雷 ;
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[10]
晶圆键合方法以及晶圆键合结构 [P]. 
陈福成 .
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