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基于LPCVD生长厚氮化硅膜的方法及厚氮化硅膜结构
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202211429312.5
申请日：
2022-11-15
公开(公告)号：
CN118053735A
公开(公告)日：
2024-05-17
发明(设计)人：
余巨峰
李轶
杜晓阳
申请人：
上海新微技术研发中心有限公司
申请人地址：
201800 上海市嘉定区城北路235号1号楼
IPC主分类号：
H01L21/02
IPC分类号：
H01L21/205
代理机构：
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人：
余明伟
法律状态：
公开
国省代码：
上海市
市辖区
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-05-17 | 公开 | 公开 |
| 2024-06-04 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20221115 |