一种氧化镓二极管器件及其制作工艺

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410183793.9

申请日：

2024-02-19

公开(公告)号：

CN117995911A

公开(公告)日：

2024-05-07

发明(设计)人：

何钧王博蒋怡

申请人：

芯众享（成都）微电子有限公司

申请人地址：

610000 四川省成都市中国（四川）自由贸易试验区成都高新区锦城大道666号3栋7层4号

IPC主分类号：

H01L29/872

IPC分类号：

H01L29/06 H01L29/24 H01L21/34

代理机构：

成都鼎胜专利代理事务所(普通合伙) 51356

代理人：

李想

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

江苏省常州市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-24	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/872申请日:20240219
2024-05-07	公开	公开
2025-09-02	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 29/872申请公布日:20240507

共 50 条

[1]

氧化镓二极管器件及其制备方法 [P].

王元刚 ;

吕元杰 ;

敦少博 ;

付兴昌 ;

韩婷婷 ;

刘宏宇 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114743873B ,2025-10-17

[2]

氧化镓二极管器件及其制备方法 [P].

王元刚 ;

吕元杰 ;

敦少博 ;

付兴昌 ;

韩婷婷 ;

刘宏宇 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114743873A ,2022-07-12

[3]

一种肖特基二极管制作工艺及肖特基二极管 [P].

程凯 .

中国专利 :CN108511531A ,2018-09-07

[4]

一种氧化镓二极管器件及其制备方法 [P].

王元刚 ;

吕元杰 ;

敦少博 ;

卜爱民 ;

韩婷婷 ;

刘宏宇 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114743875A ,2022-07-12

[5]

一种氧化镓二极管器件及其制备方法 [P].

王元刚 ;

吕元杰 ;

敦少博 ;

卜爱民 ;

韩婷婷 ;

刘宏宇 ;

冯志红 .

中国专利 :CN114743875B ,2025-08-12

[6]

二极管器件及其制造工艺 [P].

王艳春 ;

刘东庆 .

中国专利 :CN109962097A ,2019-07-02

[7]

氧化镓肖特基二极管及其制备方法 [P].

徐光伟 ;

李秋艳 ;

郝伟兵 ;

向学强 ;

龙世兵 .

中国专利 :CN117995910A ,2024-05-07

[8]

一种功率二极管器件 [P].

张金平 ;

邹华 ;

赵阳 ;

罗君轶 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109065638B ,2018-12-21

[9]

一种超势垒二极管器件 [P].

张金平 ;

邹华 ;

王康 ;

罗君轶 ;

刘竞秀 ;

李泽宏 ;

张波 .

中国专利 :CN109119487B ,2019-01-01

[10]

一种氧化镓半导体肖特基二极管 [P].

辛倩 ;

杜路路 ;

徐明升 ;

宋爱民 .

中国专利 :CN209266413U ,2019-08-16

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