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一种氧化镓二极管器件及其制备方法

被引：0
申请号：
CN202210470510.X
申请日：
2022-04-28
公开(公告)号：
CN114743875A
公开(公告)日：
2022-07-12
发明(设计)人：
王元刚 吕元杰 敦少博 卜爱民 韩婷婷 刘宏宇 冯志红
申请人：
申请人地址：
050051 河北省石家庄市合作路113号
IPC主分类号：
H01L21329
IPC分类号：
H01L2102 H01L2906
代理机构：
石家庄国为知识产权事务所 13120
代理人：
刘少卿
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2022-07-29 实质审查的生效 实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/329 申请日:20220428
2022-07-12 公开 公开
共 50 条
[1]
一种氧化镓二极管器件及其制备方法 [P]. 
王元刚 ;
吕元杰 ;
敦少博 ;
卜爱民 ;
韩婷婷 ;
刘宏宇 ;
冯志红 .
中国专利 :CN114743875B ,2025-08-12
[2]
氧化镓二极管器件及其制备方法 [P]. 
王元刚 ;
吕元杰 ;
敦少博 ;
付兴昌 ;
韩婷婷 ;
刘宏宇 ;
冯志红 .
中国专利 :CN114743873B ,2025-10-17
[3]
氧化镓二极管器件及其制备方法 [P]. 
王元刚 ;
吕元杰 ;
敦少博 ;
付兴昌 ;
韩婷婷 ;
刘宏宇 ;
冯志红 .
中国专利 :CN114743873A ,2022-07-12
[4]
一种正磨角氧化镓肖特基二极管器件及其制备方法 [P]. 
王元刚 ;
吕元杰 ;
敦少博 ;
韩婷婷 ;
刘宏宇 ;
冯志红 .
中国专利 :CN115083922A ,2022-09-20
[5]
一种正磨角氧化镓肖特基二极管器件及其制备方法 [P]. 
王元刚 ;
吕元杰 ;
敦少博 ;
韩婷婷 ;
刘宏宇 ;
冯志红 .
中国专利 :CN115083922B ,2025-08-12
[6]
氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管 [P]. 
王元刚 ;
敦少博 ;
吕元杰 ;
韩婷婷 ;
卜爱民 ;
许靖 ;
冯志红 .
中国专利 :CN114743874B ,2025-11-21
[7]
氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管 [P]. 
王元刚 ;
敦少博 ;
吕元杰 ;
韩婷婷 ;
卜爱民 ;
许靖 ;
冯志红 .
中国专利 :CN114743874A ,2022-07-12
[8]
氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管 [P]. 
王元刚 ;
吕元杰 ;
敦少博 ;
卜爱民 ;
韩婷婷 ;
刘宏宇 ;
冯志红 .
中国专利 :CN115083921A ,2022-09-20
[9]
一种氧化镓二极管器件及其制作工艺 [P]. 
何钧 ;
王博 ;
蒋怡 .
中国专利 :CN117995911A ,2024-05-07
[10]
一种P型水平氧化镓二极管器件及制备方法 [P]. 
董鹏飞 ;
叶安琪 ;
周弘 ;
张进成 ;
刘志宏 ;
张苇杭 ;
赵江涵 .
中国专利 :CN119653816A ,2025-03-18
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