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氧化镓二极管器件及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202210470426.8
申请日：
2022-04-28
公开(公告)号：
CN114743873B
公开(公告)日：
2025-10-17
发明(设计)人：
王元刚 吕元杰 敦少博 付兴昌 韩婷婷 刘宏宇 冯志红
申请人：
中国电子科技集团公司第十三研究所
申请人地址：
050051 河北省石家庄市合作路113号
IPC主分类号：
H10D8/01
IPC分类号：
H10D8/60 H10D62/10
代理机构：
石家庄国为知识产权事务所 13120
代理人：
刘少卿
法律状态：
授权
国省代码：
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-10-17 授权 授权
共 50 条
[1]
氧化镓二极管器件及其制备方法 [P]. 
王元刚 ;
吕元杰 ;
敦少博 ;
付兴昌 ;
韩婷婷 ;
刘宏宇 ;
冯志红 .
中国专利 :CN114743873A ,2022-07-12
[2]
一种氧化镓二极管器件及其制备方法 [P]. 
王元刚 ;
吕元杰 ;
敦少博 ;
卜爱民 ;
韩婷婷 ;
刘宏宇 ;
冯志红 .
中国专利 :CN114743875A ,2022-07-12
[3]
一种氧化镓二极管器件及其制备方法 [P]. 
王元刚 ;
吕元杰 ;
敦少博 ;
卜爱民 ;
韩婷婷 ;
刘宏宇 ;
冯志红 .
中国专利 :CN114743875B ,2025-08-12
[4]
一种正磨角氧化镓肖特基二极管器件及其制备方法 [P]. 
王元刚 ;
吕元杰 ;
敦少博 ;
韩婷婷 ;
刘宏宇 ;
冯志红 .
中国专利 :CN115083922A ,2022-09-20
[5]
一种正磨角氧化镓肖特基二极管器件及其制备方法 [P]. 
王元刚 ;
吕元杰 ;
敦少博 ;
韩婷婷 ;
刘宏宇 ;
冯志红 .
中国专利 :CN115083922B ,2025-08-12
[6]
氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管 [P]. 
王元刚 ;
敦少博 ;
吕元杰 ;
韩婷婷 ;
卜爱民 ;
许靖 ;
冯志红 .
中国专利 :CN114743874B ,2025-11-21
[7]
氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管 [P]. 
王元刚 ;
敦少博 ;
吕元杰 ;
韩婷婷 ;
卜爱民 ;
许靖 ;
冯志红 .
中国专利 :CN114743874A ,2022-07-12
[8]
氧化镓肖特基二极管制备方法及氧化镓肖特基二极管 [P]. 
王元刚 ;
吕元杰 ;
敦少博 ;
卜爱民 ;
韩婷婷 ;
刘宏宇 ;
冯志红 .
中国专利 :CN115083921A ,2022-09-20
[9]
一种氧化镓肖特基二极管及其制备方法 [P]. 
张少鹏 ;
曹佳 .
中国专利 :CN117080079B ,2024-01-02
[10]
氧化镓肖特基二极管及其制备方法 [P]. 
吕元杰 ;
王元刚 ;
周幸叶 ;
刘宏宇 ;
宋旭波 ;
梁士雄 ;
徐森锋 ;
付兴昌 ;
冯志红 .
中国专利 :CN111192926B ,2020-05-22
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