半导体处理装置及方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202211026020.7
申请日
2022-08-25
公开(公告)号
CN117672902A
公开(公告)日
2024-03-08
发明(设计)人
胡玉
申请人
拓荆科技股份有限公司
申请人地址
110171 辽宁省沈阳市浑南区水家900号
IPC主分类号
H01L21/67
IPC分类号
B01D46/56
代理机构
上海专利商标事务所有限公司 31100
代理人
徐伟
法律状态
公开
国省代码
辽宁省 沈阳市
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共 50 条
[1]
半导体处理装置及方法 [P]. 
温子瑛 ;
张丹 .
中国专利 :CN117723365A ,2024-03-19
[2]
半导体处理装置及半导体处理方法 [P]. 
吴凯文 ;
黄正义 ;
陈俊达 ;
谢锦升 .
中国专利 :CN113206027A ,2021-08-03
[3]
半导体结构的处理方法、半导体结构及半导体处理装置 [P]. 
陈超 ;
邓璟雯 ;
饶建成 ;
黄振华 .
中国专利 :CN119497382A ,2025-02-21
[4]
半导体结构的处理方法、半导体结构及半导体处理装置 [P]. 
陈超 ;
邓璟雯 ;
饶建成 ;
黄振华 .
中国专利 :CN119497382B ,2025-11-11
[5]
半导体处理设备及半导体处理方法 [P]. 
张丝柳 ;
顾立勋 .
中国专利 :CN110491805A ,2019-11-22
[6]
半导体处理装置及处理方法 [P]. 
王林 ;
胡淼龙 ;
蒋志超 ;
张春雷 ;
罗兴安 ;
张高升 .
中国专利 :CN111564398A ,2020-08-21
[7]
半导体处理装置及方法 [P]. 
铃木大介 ;
长谷川雅之 ;
远藤笃史 .
中国专利 :CN1794421A ,2006-06-28
[8]
半导体处理装置及方法 [P]. 
温子瑛 ;
王致凯 .
中国专利 :CN106783669B ,2017-05-31
[9]
半导体处理装置及方法 [P]. 
G·Y·金 ;
张阁 .
中国专利 :CN116356285B ,2025-07-11
[10]
半导体处理装置及方法 [P]. 
沈柯睿 ;
温子瑛 .
中国专利 :CN120109042A ,2025-06-06