多单元IGBT功率模块的封装结构

被引:0
专利类型
实用新型
申请号
CN202322050377.5
申请日
2023-07-31
公开(公告)号
CN220526919U
公开(公告)日
2024-02-23
发明(设计)人
李恊松
申请人
海南航芯高科技产业集团有限责任公司
申请人地址
570100 海南省海口市琼山区滨江街道办琼州大道21号琼山区商务局办公楼三楼
IPC主分类号
H01L25/07
IPC分类号
H01L23/498 H01L23/488 H01L23/538 H01L23/31 H01L23/367
代理机构
广州三环专利商标代理有限公司 44202
代理人
龙莉苹
法律状态
授权
国省代码
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共 50 条
[1]
IGBT功率模块封装结构 [P]. 
严大生 ;
马玉林 ;
王忠伟 ;
付小雷 ;
陈健洺 .
中国专利 :CN220963348U ,2024-05-14
[2]
宽CLIP的IGBT功率模块封装结构 [P]. 
李恊松 .
中国专利 :CN220526920U ,2024-02-23
[3]
IGBT功率模块的布线结构及IGBT功率模块 [P]. 
李恊松 .
中国专利 :CN222146212U ,2024-12-10
[4]
一种封装结构的IGBT功率模块 [P]. 
王丕龙 ;
王新强 ;
杨玉珍 ;
张永利 .
中国专利 :CN215731667U ,2022-02-01
[5]
IGBT功率模块的封装结构及采用该封装结构的IGBT功率模块 [P]. 
张凯 ;
刘刚 ;
孙峻峰 ;
任静 ;
谢云龙 ;
任成才 ;
王阔 ;
于丽阳 ;
王高虎 ;
祁招 ;
张文锦 .
中国专利 :CN112421934B ,2021-02-26
[6]
IGBT封装单元及IGBT功率装置 [P]. 
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付小雷 ;
王玉定 .
中国专利 :CN221861661U ,2024-10-18
[7]
IGBT功率单元及多单元IGBT装置 [P]. 
李恊松 ;
陈绪全 .
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[8]
双单元IGBT功率模块 [P]. 
李恊松 .
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[9]
八单元IGBT功率模块 [P]. 
王水明 ;
颜钢锋 ;
李曼 ;
宋夙冕 ;
王轶楠 .
中国专利 :CN206602110U ,2017-10-31
[10]
IGBT模块的封装结构 [P]. 
李恊松 .
中国专利 :CN220526918U ,2024-02-23