集成肖特基结的功率器件结构及其制造方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN201710475113.0
申请日
2017-06-21
公开(公告)号
CN109103177B
公开(公告)日
2024-02-23
发明(设计)人
陈茜 蒋建
申请人
华润微电子(重庆)有限公司
申请人地址
401331 重庆市沙坪坝区西永大道25号
IPC主分类号
H01L27/02
IPC分类号
H01L29/423 H01L29/872 H01L21/8249 H01L21/28 H01L21/329
代理机构
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人
罗泳文
法律状态
授权
国省代码
重庆市 市辖区
引用
下载
收藏
共 50 条
[1]
集成肖特基结的功率器件结构及其制造方法 [P]. 
陈茜 ;
蒋建 .
中国专利 :CN109103177A ,2018-12-28
[2]
集成肖特基结的功率器件结构 [P]. 
陈茜 ;
蒋建 .
中国专利 :CN207217532U ,2018-04-10
[3]
肖特基集成的超级结器件及其制造方法 [P]. 
颜树范 .
中国专利 :CN119133216A ,2024-12-13
[4]
碳化硅基集成肖特基的功率器件及其制备方法 [P]. 
刘国梁 ;
朱斯天 ;
樊永辉 ;
许明伟 ;
樊晓兵 .
中国专利 :CN118943193A ,2024-11-12
[5]
超级结功率器件及其制造方法 [P]. 
颜树范 ;
张朝阳 ;
李江华 ;
朱辉 .
中国专利 :CN103515436B ,2014-01-15
[6]
功率器件的终端结构及其制造方法 [P]. 
程炜涛 ;
姚阳 .
中国专利 :CN113097288A ,2021-07-09
[7]
肖特基器件结构及其制造方法 [P]. 
陈茜 ;
蒋建 .
中国专利 :CN109004035A ,2018-12-14
[8]
肖特基器件结构及其制造方法 [P]. 
陈茜 ;
蒋建 .
中国专利 :CN109004035B ,2024-02-13
[9]
优化结构的空腔型沟槽肖特基功率器件及其制造方法 [P]. 
王东 ;
郑晨焱 .
中国专利 :CN105789329B ,2016-07-20
[10]
集成肖特基二极管的功率器件及其制造方法 [P]. 
温正欣 ;
张振中 ;
和巍巍 ;
汪之涵 ;
郑泽东 .
中国专利 :CN112164654B ,2021-01-01