共 50 条
[1]
[2]
[3]
[4]
[5]
[6]
[7]
[8]
[9]
[10]
半导体结构及其形成方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311866497.0
申请日：
2023-12-29
公开(公告)号：
CN117832258A
公开(公告)日：
2024-04-05
发明(设计)人：
殷华湘
曹磊
李庆坤
张青竹
申请人：
中国科学院微电子研究所
申请人地址：
100029 北京市朝阳区北土城西路3号中国科学院微电子研究所
IPC主分类号：
H01L29/08
IPC分类号：
H01L29/10
H01L29/06
H01L29/78
H01L21/336
代理机构：
北京集佳知识产权代理有限公司 11227
代理人：
吴敏
法律状态：
公开
国省代码：
北京市
引用
下载
收藏
法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-04-05 | 公开 | 公开 |
| 2024-04-23 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 29/08申请日:20231229 |