半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311344816.1

申请日：

2023-10-17

公开(公告)号：

CN119866045A

公开(公告)日：

2025-04-22

发明(设计)人：

王锦喆马莹

申请人：

中芯国际集成电路制造(北京)有限公司中芯京城集成电路制造（北京）有限公司中芯国际集成电路制造(上海)有限公司

申请人地址：

100176 北京市大兴区经济技术开发区文昌大道18号

IPC主分类号：

H10D62/13

IPC分类号：

H10D30/67 H10D64/27 H10D64/23 H10D30/01

代理机构：

北京集佳知识产权代理有限公司 11227

代理人：

吴敏

法律状态：

公开

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-22	公开	公开
2025-05-09	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10D 62/13申请日:20231017

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

谈亚丽 ;

李辉辉 ;

孟皓 .

中国专利 :CN120358740A ,2025-07-22

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

三重野文健 ;

周永昌 .

中国专利 :CN116313810B ,2025-12-16

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

樊永帅 ;

付宇 ;

柴杉杉 ;

薛晓凡 .

中国专利 :CN120456575A ,2025-08-08

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

何其旸 .

中国专利 :CN104037084A ,2014-09-10

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

谭程 ;

张昕哲 ;

司进 ;

纪世良 ;

张海洋 .

中国专利 :CN118280994A ,2024-07-02

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

王楠 ;

洪中山 .

中国专利 :CN111261517A ,2020-06-09

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

刘勃彤 ;

何应春 ;

顾林 .

中国专利 :CN114334986A ,2022-04-12

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

王敬 ;

许军 ;

郭磊 .

中国专利 :CN102184940B ,2011-09-14

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

郭雯 ;

于海龙 ;

韩静利 ;

彭轩懿 ;

董开拓 .

中国专利 :CN119208355A ,2024-12-27

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN109950313A ,2019-06-28

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