半导体结构及其形成方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201110080303.5

申请日：

2011-03-30

公开(公告)号：

CN102184940B

公开(公告)日：

2011-09-14

发明(设计)人：

王敬许军郭磊

申请人：

申请人地址：

100084 北京市海淀区100084-82信箱

IPC主分类号：

H01L2906

IPC分类号：

H01L29165 H01L2102

代理机构：

北京清亦华知识产权代理事务所(普通合伙) 11201

代理人：

张大威

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2011-11-02	实质审查的生效	实质审查的生效号牌文件类型代码:1604 号牌文件序号:101127323529 IPC(主分类):H01L 29/06 专利申请号:2011100803035 申请日:20110330
2014-01-08	授权	授权
2011-09-14	公开	公开

共 50 条

[1]

半导体结构及其形成方法 [P].

谈亚丽 ;

李辉辉 ;

孟皓 .

中国专利 :CN120358740A ,2025-07-22

[2]

半导体结构及其形成方法 [P].

王锦喆 ;

马莹 .

中国专利 :CN119866045A ,2025-04-22

[3]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110634820A ,2019-12-31

[4]

半导体结构及其形成方法 [P].

宋兴华 .

中国专利 :CN110233132A ,2019-09-13

[5]

半导体结构及其形成方法 [P].

S·W·比德尔 ;

B·赫克玛特绍塔巴里 ;

A·卡基菲鲁兹 ;

G·G·沙希迪 ;

D·沙赫莉亚迪 .

中国专利 :CN103730403B ,2014-04-16

[6]

半导体结构及其形成方法 [P].

许忠龙 ;

陈旷举 ;

刘汉英 .

中国专利 :CN119364790A ,2025-01-24

[7]

半导体结构及其形成方法 [P].

李振铭 .

中国专利 :CN119108347A ,2024-12-10

[8]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN111200016A ,2020-05-26

[9]

半导体结构及其形成方法 [P].

周飞 .

中国专利 :CN110648967A ,2020-01-03

[10]

半导体结构及其形成方法 [P].

陈冠霖 ;

江国诚 ;

朱熙甯 ;

王志豪 ;

程冠伦 .

中国专利 :CN113224057A ,2021-08-06

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