一种处理多晶硅和单晶硅废料的方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410258306.0

申请日：

2024-03-07

公开(公告)号：

CN118026182A

公开(公告)日：

2024-05-14

发明(设计)人：

董满贵赖佳兴宁国栋

申请人：

上海逢石科技有限公司

申请人地址：

201600 上海市浦东新区三新路9号1号楼一层103室

IPC主分类号：

C01B33/037

IPC分类号：

代理机构：

沈阳东大知识产权代理有限公司 21109

代理人：

吴琼

法律状态：

公开

国省代码：

上海市市辖区

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-14	公开	公开
2024-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C01B 33/037申请日:20240307

共 50 条

[1]

由单晶硅和多晶硅切割废料中回收硅和碳化硅的方法 [P].

郭菁 ;

邢鹏飞 ;

任存治 ;

庄艳歆 ;

涂赣峰 .

中国专利 :CN101941699A ,2011-01-12

[2]

多晶硅棒和单晶硅的制造方法 [P].

宫尾秀一 ;

石田昌彦 ;

星野成大 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN109694076A ,2019-04-30

[3]

多晶硅棒和单晶硅的制造方法 [P].

宫尾秀一 ;

石田昌彦 ;

星野成大 ;

祢津茂义 .

日本专利 :CN109694076B ,2024-03-19

[4]

多晶硅棒、多晶硅棒的制造方法以及单晶硅 [P].

宫尾秀一 ;

祢津茂义 ;

冈田哲郎 .

中国专利 :CN106255663B ,2016-12-21

[5]

多晶硅块、多晶硅棒及单晶硅的制造方法 [P].

宫尾秀一 ;

祢津茂义 ;

星野成大 ;

冈田哲郎 .

中国专利 :CN107954427A ,2018-04-24

[6]

一种多晶硅和单晶硅线切割废料中杂质铁的去除方法 [P].

朱鸿民 ;

刘苏宁 ;

黄凯 .

中国专利 :CN105174266B ,2015-12-23

[7]

多晶硅熔化参数的检测方法、多晶硅、单晶硅及其制造方法 [P].

宮尾秀一 .

中国专利 :CN110133017B ,2019-08-16

[8]

一种多晶硅和单晶硅粉末中杂质处理设备 [P].

吴纪清 .

中国专利 :CN116237298B ,2025-12-16

[9]

多晶硅的晶体取向度评价方法、多晶硅棒的选择方法、多晶硅棒、多晶硅块以及单晶硅的制造方法 [P].

宫尾秀一 ;

冈田淳一 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN104395740A ,2015-03-04

[10]

多晶硅、FZ单晶硅以及它们的制造方法 [P].

宫尾秀一 ;

祢津茂义 .

中国专利 :CN107268079B ,2017-10-20

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