半导体装置以及接合方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202080017572.4

申请日：

2020-02-10

公开(公告)号：

CN113491010B

公开(公告)日：

2024-05-03

发明(设计)人：

富士和则

申请人：

罗姆股份有限公司

申请人地址：

日本京都府

IPC主分类号：

H01L23/48

IPC分类号：

H01L25/07 H01L25/18 B23K26/21 H01L21/60

代理机构：

北京银龙知识产权代理有限公司 11243

代理人：

金成哲;郑毅

法律状态：

授权

国省代码：

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-03	授权	授权

共 50 条

[1]

半导体装置以及接合方法 [P].

富士和则 .

中国专利 :CN113491010A ,2021-10-08

[2]

半导体装置以及接合方法 [P].

富士和则 .

日本专利 :CN118610180A ,2024-09-06

[3]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

富士和则 .

中国专利 :CN112805827A ,2021-05-14

[4]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

富士和则 .

日本专利 :CN117878082A ,2024-04-12

[5]

半导体元件接合体、半导体装置以及半导体元件接合体的制造方法 [P].

山崎浩次 ;

加东智明 .

中国专利 :CN110419097A ,2019-11-05

[6]

切割/芯片接合薄膜、半导体装置的制造方法以及半导体装置 [P].

宍户雄一郎 ;

三隅贞仁 ;

大西谦司 .

中国专利 :CN104733400A ,2015-06-24

[7]

接合线的接合方法、半导体装置、半导体装置的制造方法 [P].

户崎德大 ;

中尾光博 ;

森田洋辅 .

中国专利 :CN102623363A ,2012-08-01

[8]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

富士和则 .

中国专利 :CN113994465A ,2022-01-28

[9]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

中岛经宏 ;

高桥良和 ;

梨子田典弘 .

中国专利 :CN106469688B ,2017-03-01

[10]

半导体装置以及半导体装置的制造方法 [P].

田原康宏 ;

高桥聪一郎 .

日本专利 :CN117616568A ,2024-02-27

← 1 2 3 4 5 →