一种In<sub>0.2</sub>Ga<sub>1.8</sub>O<sub>3</sub>/Cs<sub>3</sub>Cu<sub>2</sub>I<sub>5</sub>复合纳米材料及其制备方法和紫外光电探测器

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311322512.5

申请日：

2023-10-13

公开(公告)号：

CN117374138A

公开(公告)日：

2024-01-09

发明(设计)人：

翟艳男高玲张晖李晶王兆欣李井泉丁长虹栾爽

申请人：

中国人民解放军空军航空大学

申请人地址：

130022 吉林省长春市人民大街7855号

IPC主分类号：

H01L31/032

IPC分类号：

H01L31/109 H01L31/18 C01G15/00

代理机构：

哈尔滨市阳光惠远知识产权代理有限公司 23211

代理人：

陈晶

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-09	公开	公开
2024-01-26	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/032申请日:20231013

共 50 条

[1]

一种制备Cs<sub>3</sub>Cu<sub>2</sub>I<sub>5</sub>/ZnGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>异质结自驱动紫外光电探测器的方法 [P].

张立春 ;

曹宁 ;

张登英 ;

赵风周 ;

程晓华 .

中国专利 :CN119208449A ,2024-12-27

[2]

Cs<sub>3</sub>Cu<sub>2</sub>I<sub>5</sub>及其制备方法和应用 [P].

夏斯阳 ;

陈红 ;

简磊 ;

李松江 ;

潘闻景 .

中国专利 :CN117342600A ,2024-01-05

[3]

Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>横向异质结光电探测器及其制备方法 [P].

白甜甜 ;

顾培民 .

中国专利 :CN120529679A ,2025-08-22

[4]

Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器及提高Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器的探测能力的方法 [P].

张文瑞 ;

张金福 ;

王维 ;

章建国 ;

叶继春 .

中国专利 :CN118867036A ,2024-10-29

[5]

一种Cs<sub>3</sub>Cu<sub>2</sub>I<sub>5</sub>粉末的制备方法 [P].

柳炳琦 ;

杨小虎 ;

黎浩男 ;

唐羽锋 ;

刘祥和 .

中国专利 :CN118495578A ,2024-08-16

[6]

基于In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结结构的两端MSM日盲型紫外光电探测器 [P].

王浩 ;

危家昀 ;

韩伟 ;

关爽 ;

沈谅平 .

中国专利 :CN117594676B ,2024-11-05

[7]

一种Fe<sub>3</sub>O<sub>4</sub>@MgSiO<sub>3</sub>@TiO<sub>2</sub>复合纳米材料的制备方法 [P].

程琳 ;

王哲涛 ;

陈冠政 .

中国专利 :CN114797756B ,2024-04-23

[8]

一种基于无定形态In掺杂Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法 [P].

阮圣平 ;

周瑞恒 ;

刘彩霞 ;

周敬然 ;

李昕 ;

马艳 .

中国专利 :CN115274906B ,2025-03-07

[9]

一种Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>紫外探测器及其制备方法和应用 [P].

刘艳涛 ;

黄荣 ;

林涛 ;

党佳乐 ;

黄昊翔 .

中国专利 :CN118919600A ,2024-11-08

[10]

一种基于n<sup>+</sup>-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/i-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SnO异质结深紫外高速光电探测器及其制备方法 [P].

张洪良 ;

贺雅欣 ;

徐翔宇 ;

石崛立 .

中国专利 :CN118507576A ,2024-08-16

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