一种基于无定形态In掺杂Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米材料的紫外光电探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210903894.X

申请日：

2022-07-29

公开(公告)号：

CN115274906B

公开(公告)日：

2025-03-07

发明(设计)人：

阮圣平周瑞恒刘彩霞周敬然李昕马艳

申请人：

吉林大学

申请人地址：

130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号

IPC主分类号：

H10F30/10

IPC分类号：

H10F77/12 H10F77/14 H10F71/00

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

刘世纯;王恩远

法律状态：

授权

国省代码：

吉林省长春市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-03-07	授权	授权

共 50 条

[1]

一种In<sub>0.2</sub>Ga<sub>1.8</sub>O<sub>3</sub>/Cs<sub>3</sub>Cu<sub>2</sub>I<sub>5</sub>复合纳米材料及其制备方法和紫外光电探测器 [P].

翟艳男 ;

高玲 ;

张晖 ;

李晶 ;

王兆欣 ;

李井泉 ;

丁长虹 ;

栾爽 .

中国专利 :CN117374138A ,2024-01-09

[2]

基于p-Si/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/ZnO的MSM结构紫外光电探测器及其制备方法 [P].

蒋大勇 ;

赵鹤鹏 ;

赵曼 ;

魏浩明 ;

段雨晗 .

中国专利 :CN120640822A ,2025-09-12

[3]

一种Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>紫外探测器及其制备方法和应用 [P].

刘艳涛 ;

黄荣 ;

林涛 ;

党佳乐 ;

黄昊翔 .

中国专利 :CN118919600A ,2024-11-08

[4]

Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器及提高Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器的探测能力的方法 [P].

张文瑞 ;

张金福 ;

王维 ;

章建国 ;

叶继春 .

中国专利 :CN118867036A ,2024-10-29

[5]

一种Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基内嵌式电极日盲紫外光电探测器及其制备方法 [P].

章伟 ;

张国鹏 ;

胡雪峰 ;

穆晴晴 ;

余得宝 ;

于文娟 .

中国专利 :CN119133266A ,2024-12-13

[6]

一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结自供电深紫外探测器及其制备方法 [P].

杨军 ;

王顺利 ;

吴然红 ;

郭道友 ;

张鑫江 ;

郑明山 ;

夏紫辉 .

中国专利 :CN118738196A ,2024-10-01

[7]

一种基于n<sup>+</sup>-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/i-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SnO异质结深紫外高速光电探测器及其制备方法 [P].

张洪良 ;

贺雅欣 ;

徐翔宇 ;

石崛立 .

中国专利 :CN118507576A ,2024-08-16

[8]

基于In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结结构的两端MSM日盲型紫外光电探测器 [P].

王浩 ;

危家昀 ;

韩伟 ;

关爽 ;

沈谅平 .

中国专利 :CN117594676B ,2024-11-05

[9]

一种基于FTO/α-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/MgZnO晶型匹配异质结的紫外探测器及其制备方法 [P].

阮圣平 ;

周瑞恒 ;

刘彩霞 ;

周敬然 ;

李昕 ;

马艳 .

中国专利 :CN115274932B ,2024-11-01

[10]

自供电CsCu<sub>2</sub>I<sub>3</sub>薄膜紫外光电探测器的制备方法 [P].

邹友生 ;

邹济匡 ;

王芯 .

中国专利 :CN115732583B ,2025-10-21

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