一种基于FTO/α-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/MgZnO晶型匹配异质结的紫外探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202210954059.9

申请日：

2022-08-10

公开(公告)号：

CN115274932B

公开(公告)日：

2024-11-01

发明(设计)人：

阮圣平周瑞恒刘彩霞周敬然李昕马艳

申请人：

吉林大学

申请人地址：

130012 吉林省长春市长春高新技术产业开发区前进大街2699号

IPC主分类号：

H01L31/18

IPC分类号：

H01L31/109

代理机构：

长春吉大专利代理有限责任公司 22201

代理人：

刘世纯;王恩远

法律状态：

授权

国省代码：

吉林省长春市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-11-01	授权	授权

共 50 条

[1]

一种基于FTO/TiO<sub>2</sub>：PEO/MAPbCl<sub>3</sub>异质结的紫外探测器及其制备方法 [P].

阮圣平 ;

张宇鹏 ;

翟艳男 ;

刘彩霞 ;

周敬然 ;

李昕 ;

马艳 .

中国专利 :CN115472745B ,2025-04-25

[2]

SiC/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结单光子紫外探测器及其制备方法 [P].

袁昊 ;

杜丰羽 ;

韩超 .

中国专利 :CN119855274B ,2025-09-30

[3]

SiC/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结单光子紫外探测器及其制备方法 [P].

袁昊 ;

杜丰羽 ;

韩超 .

中国专利 :CN119855274A ,2025-04-18

[4]

一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结自供电深紫外探测器及其制备方法 [P].

杨军 ;

王顺利 ;

吴然红 ;

郭道友 ;

张鑫江 ;

郑明山 ;

夏紫辉 .

中国专利 :CN118738196A ,2024-10-01

[5]

一种Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>紫外探测器及其制备方法和应用 [P].

刘艳涛 ;

黄荣 ;

林涛 ;

党佳乐 ;

黄昊翔 .

中国专利 :CN118919600A ,2024-11-08

[6]

一种基于MgZnO/Nb<sub>2</sub>O<sub>5</sub>异质结光敏感层的肖特基型紫外探测器及其制备方法 [P].

周敬然 ;

毕正宇 ;

阮圣平 ;

刘彩霞 ;

董玮 ;

张歆东 ;

郭文滨 ;

沈亮 ;

温善鹏 .

中国专利 :CN120583791A ,2025-09-02

[7]

Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>横向异质结光电探测器及其制备方法 [P].

白甜甜 ;

顾培民 .

中国专利 :CN120529679A ,2025-08-22

[8]

一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线/p-Si异质结光电探测器及其制备方法 [P].

马淑芳 ;

董浩琰 ;

牛艳萍 ;

阳智 ;

王嘉惠 ;

郝晓东 ;

许并社 .

中国专利 :CN119300525A ,2025-01-10

[9]

一种基于n<sup>+</sup>-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/i-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SnO异质结深紫外高速光电探测器及其制备方法 [P].

张洪良 ;

贺雅欣 ;

徐翔宇 ;

石崛立 .

中国专利 :CN118507576A ,2024-08-16

[10]

基于非晶Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

李严波 ;

范泽宇 .

中国专利 :CN114725234B ,2024-03-22

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