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SiC/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结单光子紫外探测器及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202411953028.7
申请日：
2024-12-27
公开(公告)号：
CN119855274A
公开(公告)日：
2025-04-18
发明(设计)人：
袁昊 杜丰羽 韩超
申请人：
西安电子科技大学芜湖研究院 西安电子科技大学
申请人地址：
241002 安徽省芜湖市弋江区高新技术产业开发区科技产业园7号楼
IPC主分类号：
H10F71/00
IPC分类号：
H10F30/222 H10F77/30 H10F77/20
代理机构：
西安嘉思特知识产权代理事务所(普通合伙) 61230
代理人：
王萌
法律状态：
授权
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-09-30 授权 授权
2025-05-06 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10F 71/00申请日:20241227
2025-04-18 公开 公开
共 50 条
[1]
SiC/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结单光子紫外探测器及其制备方法 [P]. 
袁昊 ;
杜丰羽 ;
韩超 .
中国专利 :CN119855274B ,2025-09-30
[2]
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>横向异质结光电探测器及其制备方法 [P]. 
白甜甜 ;
顾培民 .
中国专利 :CN120529679A ,2025-08-22
[3]
一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结自供电深紫外探测器及其制备方法 [P]. 
杨军 ;
王顺利 ;
吴然红 ;
郭道友 ;
张鑫江 ;
郑明山 ;
夏紫辉 .
中国专利 :CN118738196A ,2024-10-01
[4]
一种蛾眼减反SiC/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结紫外探测器及其制备方法 [P]. 
周瑜 ;
迟奔奔 ;
杜丰羽 ;
韩超 .
中国专利 :CN119789554A ,2025-04-08
[5]
一种ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法 [P]. 
裴艳丽 ;
费泽元 ;
陈梓敏 ;
王钢 .
中国专利 :CN118983367B ,2025-09-19
[6]
一种ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法 [P]. 
裴艳丽 ;
费泽元 ;
陈梓敏 ;
王钢 .
中国专利 :CN118983367A ,2024-11-19
[7]
高响应度β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基异质结自供能紫外探测器及其制备方法和应用 [P]. 
王相虎 ;
施华 .
中国专利 :CN115295677B ,2024-10-29
[8]
MgGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>紫外探测器及其制备方法 [P]. 
刘可为 ;
侯其超 ;
申德振 ;
陈星 ;
张振中 ;
李炳辉 .
中国专利 :CN111816720B ,2024-04-19
[9]
一种Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>紫外探测器及其制备方法和应用 [P]. 
刘艳涛 ;
黄荣 ;
林涛 ;
党佳乐 ;
黄昊翔 .
中国专利 :CN118919600A ,2024-11-08
[10]
基于非晶Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法 [P]. 
李严波 ;
范泽宇 .
中国专利 :CN114725234B ,2024-03-22
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