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一种Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>紫外探测器及其制备方法和应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202410847720.5
申请日：
2024-06-27
公开(公告)号：
CN118919600A
公开(公告)日：
2024-11-08
发明(设计)人：
刘艳涛 黄荣 林涛 党佳乐 黄昊翔
申请人：
西安理工大学
申请人地址：
710048 陕西省西安市碑林区金花南路5号
IPC主分类号：
H01L31/18
IPC分类号：
H01L31/0392 H01L31/08 H01L31/032 G01J1/42 C23C16/455
代理机构：
深圳清水知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 44981
代理人：
张旭庆
法律状态：
公开
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2024-11-08 公开 公开
2024-11-26 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H01L 31/18申请日:20240627
共 50 条
[1]
一种Sn掺杂Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>紫外探测器及其制备方法和应用 [P]. 
刘艳涛 ;
黄荣 ;
林涛 .
中国专利 :CN118299466A ,2024-07-05
[2]
MgGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>紫外探测器及其制备方法 [P]. 
刘可为 ;
侯其超 ;
申德振 ;
陈星 ;
张振中 ;
李炳辉 .
中国专利 :CN111816720B ,2024-04-19
[3]
一种高性能Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜有源日盲紫外探测器及其制备方法 [P]. 
张洪良 ;
徐翔宇 ;
张佳业 ;
陈文山 .
中国专利 :CN115000228B ,2024-12-17
[4]
一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结自供电深紫外探测器及其制备方法 [P]. 
杨军 ;
王顺利 ;
吴然红 ;
郭道友 ;
张鑫江 ;
郑明山 ;
夏紫辉 .
中国专利 :CN118738196A ,2024-10-01
[5]
SiC/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结单光子紫外探测器及其制备方法 [P]. 
袁昊 ;
杜丰羽 ;
韩超 .
中国专利 :CN119855274A ,2025-04-18
[6]
SiC/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结单光子紫外探测器及其制备方法 [P]. 
袁昊 ;
杜丰羽 ;
韩超 .
中国专利 :CN119855274B ,2025-09-30
[7]
一种In<sub>0.2</sub>Ga<sub>1.8</sub>O<sub>3</sub>/Cs<sub>3</sub>Cu<sub>2</sub>I<sub>5</sub>复合纳米材料及其制备方法和紫外光电探测器 [P]. 
翟艳男 ;
高玲 ;
张晖 ;
李晶 ;
王兆欣 ;
李井泉 ;
丁长虹 ;
栾爽 .
中国专利 :CN117374138A ,2024-01-09
[8]
一种基于n<sup>+</sup>-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/i-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/SnO异质结深紫外高速光电探测器及其制备方法 [P]. 
张洪良 ;
贺雅欣 ;
徐翔宇 ;
石崛立 .
中国专利 :CN118507576A ,2024-08-16
[9]
具有13.5 nm波长探测能力的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>极紫外探测器及其制备方法和应用 [P]. 
叶建东 ;
关湛南 ;
姚佳豪 ;
张崇德 ;
高翔 ;
任芳芳 ;
顾书林 ;
张荣 .
中国专利 :CN120379364B ,2025-09-19
[10]
具有13.5 nm波长探测能力的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>极紫外探测器及其制备方法和应用 [P]. 
叶建东 ;
关湛南 ;
姚佳豪 ;
张崇德 ;
高翔 ;
任芳芳 ;
顾书林 ;
张荣 .
中国专利 :CN120379364A ,2025-07-25
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