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具有13.5 nm波长探测能力的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>极紫外探测器及其制备方法和应用

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510856222.1
申请日：
2025-06-25
公开(公告)号：
CN120379364A
公开(公告)日：
2025-07-25
发明(设计)人：
叶建东 关湛南 姚佳豪 张崇德 高翔 任芳芳 顾书林 张荣
申请人：
南京大学
申请人地址：
210033 江苏省南京市栖霞区仙林大道163号
IPC主分类号：
H10F30/227
IPC分类号：
H10F77/12 H10F71/00
代理机构：
北京融智邦达知识产权代理事务所(普通合伙) 11885
代理人：
冷欢
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省 南京市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-12 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10F 30/227申请日:20250625
2025-07-25 公开 公开
2025-09-19 授权 授权
共 50 条
[1]
具有13.5 nm波长探测能力的Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>极紫外探测器及其制备方法和应用 [P]. 
叶建东 ;
关湛南 ;
姚佳豪 ;
张崇德 ;
高翔 ;
任芳芳 ;
顾书林 ;
张荣 .
中国专利 :CN120379364B ,2025-09-19
[2]
一种Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>紫外探测器及其制备方法和应用 [P]. 
刘艳涛 ;
黄荣 ;
林涛 ;
党佳乐 ;
黄昊翔 .
中国专利 :CN118919600A ,2024-11-08
[3]
一种Sn掺杂Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>紫外探测器及其制备方法和应用 [P]. 
刘艳涛 ;
黄荣 ;
林涛 .
中国专利 :CN118299466A ,2024-07-05
[4]
MgGa<sub>2</sub>O<sub>4</sub>紫外探测器及其制备方法 [P]. 
刘可为 ;
侯其超 ;
申德振 ;
陈星 ;
张振中 ;
李炳辉 .
中国专利 :CN111816720B ,2024-04-19
[5]
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器及提高Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器的探测能力的方法 [P]. 
张文瑞 ;
张金福 ;
王维 ;
章建国 ;
叶继春 .
中国专利 :CN118867036A ,2024-10-29
[6]
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>横向异质结光电探测器及其制备方法 [P]. 
白甜甜 ;
顾培民 .
中国专利 :CN120529679A ,2025-08-22
[7]
基于非晶Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法 [P]. 
李严波 ;
范泽宇 .
中国专利 :CN114725234B ,2024-03-22
[8]
SiC/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结单光子紫外探测器及其制备方法 [P]. 
袁昊 ;
杜丰羽 ;
韩超 .
中国专利 :CN119855274A ,2025-04-18
[9]
SiC/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结单光子紫外探测器及其制备方法 [P]. 
袁昊 ;
杜丰羽 ;
韩超 .
中国专利 :CN119855274B ,2025-09-30
[10]
高响应度β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基异质结自供能紫外探测器及其制备方法和应用 [P]. 
王相虎 ;
施华 .
中国专利 :CN115295677B ,2024-10-29
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