一种ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202411037412.2
申请日
2024-07-31
公开(公告)号
CN118983367A
公开(公告)日
2024-11-19
发明(设计)人
裴艳丽 费泽元 陈梓敏 王钢
申请人
佛山市中山大学研究院 中山大学
申请人地址
528200 广东省佛山市南海软件科技园研发楼A栋三层西区
IPC主分类号
H01L31/105
IPC分类号
H01L31/18 H01L31/032 H01L31/036 H01L23/373 H01L21/02
代理机构
广州海心联合专利代理事务所(普通合伙) 44295
代理人
冼俊鹏
法律状态
实质审查的生效
国省代码
广东省 广州市
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共 50 条
[1]
一种ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法 [P]. 
裴艳丽 ;
费泽元 ;
陈梓敏 ;
王钢 .
中国专利 :CN118983367B ,2025-09-19
[2]
SiC/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结单光子紫外探测器及其制备方法 [P]. 
袁昊 ;
杜丰羽 ;
韩超 .
中国专利 :CN119855274B ,2025-09-30
[3]
SiC/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结单光子紫外探测器及其制备方法 [P]. 
袁昊 ;
杜丰羽 ;
韩超 .
中国专利 :CN119855274A ,2025-04-18
[4]
基于非晶Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法 [P]. 
李严波 ;
范泽宇 .
中国专利 :CN114725234B ,2024-03-22
[5]
一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Lu<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结自供电深紫外探测器及其制备方法 [P]. 
杨军 ;
王顺利 ;
吴然红 ;
郭道友 ;
张鑫江 ;
郑明山 ;
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[6]
一种高性能Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜有源日盲紫外探测器及其制备方法 [P]. 
张洪良 ;
徐翔宇 ;
张佳业 ;
陈文山 .
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[7]
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>横向异质结光电探测器及其制备方法 [P]. 
白甜甜 ;
顾培民 .
中国专利 :CN120529679A ,2025-08-22
[8]
一种CuCrO<sub>2</sub>/GaON异质结日盲紫外探测器及其制备方法 [P]. 
胡海争 ;
朱羽晨 ;
王宇超 ;
吴超 ;
王顺利 ;
郭道友 .
中国专利 :CN115911171B ,2025-08-22
[9]
一种蛾眼减反SiC/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结紫外探测器及其制备方法 [P]. 
周瑜 ;
迟奔奔 ;
杜丰羽 ;
韩超 .
中国专利 :CN119789554A ,2025-04-08
[10]
基于s-SWCNT/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结的日盲探测器及制备方法 [P]. 
雷毅敏 ;
徐佳响 ;
王湛 ;
孙静 ;
王欣媛 ;
崔暖洋 ;
马晓华 .
中国专利 :CN120322088A ,2025-07-15