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基于s-SWCNT/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结的日盲探测器及制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202510328455.4
申请日：
2025-03-19
公开(公告)号：
CN120322088A
公开(公告)日：
2025-07-15
发明(设计)人：
雷毅敏 徐佳响 王湛 孙静 王欣媛 崔暖洋 马晓华
申请人：
西安电子科技大学
申请人地址：
710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号
IPC主分类号：
H10K30/10
IPC分类号：
H10K30/65 H10K85/20 H10K71/00 H10K71/12 H10K71/60
代理机构：
陕西电子工业专利中心 61205
代理人：
田文英
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
陕西省 西安市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-08-01 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10K 30/10申请日:20250319
2025-07-15 公开 公开
共 50 条
[1]
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器及提高Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器的探测能力的方法 [P]. 
张文瑞 ;
张金福 ;
王维 ;
章建国 ;
叶继春 .
中国专利 :CN118867036A ,2024-10-29
[2]
Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>横向异质结光电探测器及其制备方法 [P]. 
白甜甜 ;
顾培民 .
中国专利 :CN120529679A ,2025-08-22
[3]
金属纳米颗粒埋层调控的AlScN/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>日盲探测器及其制备方法 [P]. 
林珍华 ;
梁艺群 ;
常晶晶 ;
崔东升 ;
苏杰 ;
魏葳 ;
张进成 ;
郝跃 .
中国专利 :CN120882112A ,2025-10-31
[4]
一种ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法 [P]. 
裴艳丽 ;
费泽元 ;
陈梓敏 ;
王钢 .
中国专利 :CN118983367B ,2025-09-19
[5]
一种ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法 [P]. 
裴艳丽 ;
费泽元 ;
陈梓敏 ;
王钢 .
中国专利 :CN118983367A ,2024-11-19
[6]
基于非晶Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法 [P]. 
李严波 ;
范泽宇 .
中国专利 :CN114725234B ,2024-03-22
[7]
SiC/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结单光子紫外探测器及其制备方法 [P]. 
袁昊 ;
杜丰羽 ;
韩超 .
中国专利 :CN119855274A ,2025-04-18
[8]
SiC/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结单光子紫外探测器及其制备方法 [P]. 
袁昊 ;
杜丰羽 ;
韩超 .
中国专利 :CN119855274B ,2025-09-30
[9]
基于In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结结构的两端MSM日盲型紫外光电探测器 [P]. 
王浩 ;
危家昀 ;
韩伟 ;
关爽 ;
沈谅平 .
中国专利 :CN117594676B ,2024-11-05
[10]
基于量子尺寸效应的AlQDs@Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>日盲光电探测器、制备方法和应用 [P]. 
陈中辉 ;
吴昊 ;
胡骏 ;
赵杰 .
中国专利 :CN119947273A ,2025-05-06
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