金属纳米颗粒埋层调控的AlScN/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>日盲探测器及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511019332.9

申请日：

2025-07-23

公开(公告)号：

CN120882112A

公开(公告)日：

2025-10-31

发明(设计)人：

林珍华梁艺群常晶晶崔东升苏杰魏葳张进成郝跃

申请人：

西安电子科技大学

申请人地址：

710071 陕西省西安市雁塔区太白南路2号

IPC主分类号：

H10F30/222

IPC分类号：

H10F77/12 B82Y30/00 H10F77/20 H10F71/00

代理机构：

西安智大知识产权代理事务所 61215

代理人：

王晶

法律状态：

公开

国省代码：

陕西省西安市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-10-31	公开	公开
2025-11-18	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 30/222申请日:20250723

共 50 条

[1]

基于s-SWCNT/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结的日盲探测器及制备方法 [P].

雷毅敏 ;

徐佳响 ;

王湛 ;

孙静 ;

王欣媛 ;

崔暖洋 ;

马晓华 .

中国专利 :CN120322088A ,2025-07-15

[2]

基于非晶Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

李严波 ;

范泽宇 .

中国专利 :CN114725234B ,2024-03-22

[3]

Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器及提高Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器的探测能力的方法 [P].

张文瑞 ;

张金福 ;

王维 ;

章建国 ;

叶继春 .

中国专利 :CN118867036A ,2024-10-29

[4]

一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基日盲α粒子探测器及其制备方法和应用 [P].

张赫之 ;

王尊 .

中国专利 :CN119421515A ,2025-02-11

[5]

一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>纳米线/p-Si异质结光电探测器及其制备方法 [P].

马淑芳 ;

董浩琰 ;

牛艳萍 ;

阳智 ;

王嘉惠 ;

郝晓东 ;

许并社 .

中国专利 :CN119300525A ,2025-01-10

[6]

Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>横向异质结光电探测器及其制备方法 [P].

白甜甜 ;

顾培民 .

中国专利 :CN120529679A ,2025-08-22

[7]

基于量子尺寸效应的AlQDs@Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>日盲光电探测器、制备方法和应用 [P].

陈中辉 ;

吴昊 ;

胡骏 ;

赵杰 .

中国专利 :CN119947273A ,2025-05-06

[8]

一种高性能Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜有源日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

张洪良 ;

徐翔宇 ;

张佳业 ;

陈文山 .

中国专利 :CN115000228B ,2024-12-17

[9]

一种ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

裴艳丽 ;

费泽元 ;

陈梓敏 ;

王钢 .

中国专利 :CN118983367B ,2025-09-19

[10]

一种ε-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基PIN结构异质结日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

裴艳丽 ;

费泽元 ;

陈梓敏 ;

王钢 .

中国专利 :CN118983367A ,2024-11-19

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