基于量子尺寸效应的AlQDs@Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>日盲光电探测器、制备方法和应用

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411948406.2

申请日：

2024-12-27

公开(公告)号：

CN119947273A

公开(公告)日：

2025-05-06

发明(设计)人：

陈中辉吴昊胡骏赵杰

申请人：

浙江大学江苏集萃应用光谱技术研究所有限公司

申请人地址：

310000 浙江省杭州市浙江大学紫金港校区东五光及电磁波研究中心

IPC主分类号：

H10F30/222

IPC分类号：

H10F77/14 H10F71/00

代理机构：

无锡华源专利商标事务所(普通合伙) 32228

代理人：

曹发

法律状态：

公开

国省代码：

江苏省无锡市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-05-06	公开	公开
2025-05-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10F 30/222申请日:20241227

共 50 条

[1]

Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器及提高Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>光电探测器的探测能力的方法 [P].

张文瑞 ;

张金福 ;

王维 ;

章建国 ;

叶继春 .

中国专利 :CN118867036A ,2024-10-29

[2]

一种β-Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>基日盲α粒子探测器及其制备方法和应用 [P].

张赫之 ;

王尊 .

中国专利 :CN119421515A ,2025-02-11

[3]

一种TiSe<sub>2</sub>-TiO<sub>2</sub>日盲探测器及其制备方法和应用 [P].

廖霞霞 ;

张慧凤 ;

周杨波 ;

付彬芸 .

中国专利 :CN118431337A ,2024-08-02

[4]

基于s-SWCNT/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结的日盲探测器及制备方法 [P].

雷毅敏 ;

徐佳响 ;

王湛 ;

孙静 ;

王欣媛 ;

崔暖洋 ;

马晓华 .

中国专利 :CN120322088A ,2025-07-15

[5]

基于In<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>异质结结构的两端MSM日盲型紫外光电探测器 [P].

王浩 ;

危家昀 ;

韩伟 ;

关爽 ;

沈谅平 .

中国专利 :CN117594676B ,2024-11-05

[6]

Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>横向异质结光电探测器及其制备方法 [P].

白甜甜 ;

顾培民 .

中国专利 :CN120529679A ,2025-08-22

[7]

基于非晶Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜的日盲紫外探测器及其制备方法 [P].

李严波 ;

范泽宇 .

中国专利 :CN114725234B ,2024-03-22

[8]

金属纳米颗粒埋层调控的AlScN/Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>日盲探测器及其制备方法 [P].

林珍华 ;

梁艺群 ;

常晶晶 ;

崔东升 ;

苏杰 ;

魏葳 ;

张进成 ;

郝跃 .

中国专利 :CN120882112A ,2025-10-31

[9]

一种In<sub>0.2</sub>Ga<sub>1.8</sub>O<sub>3</sub>/Cs<sub>3</sub>Cu<sub>2</sub>I<sub>5</sub>复合纳米材料及其制备方法和紫外光电探测器 [P].

翟艳男 ;

高玲 ;

张晖 ;

李晶 ;

王兆欣 ;

李井泉 ;

丁长虹 ;

栾爽 .

中国专利 :CN117374138A ,2024-01-09

[10]

一种Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>紫外探测器及其制备方法和应用 [P].

刘艳涛 ;

黄荣 ;

林涛 ;

党佳乐 ;

黄昊翔 .

中国专利 :CN118919600A ,2024-11-08

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