一种铁掺杂氧化镓基强铁磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410147809.0

申请日：

2024-02-02

公开(公告)号：

CN118145964A

公开(公告)日：

2024-06-07

发明(设计)人：

向钢龚丹张析

申请人：

成都昆仑玉丘科技有限公司

申请人地址：

610000 四川省成都市武侯区武青南路33号1栋111号、113号、115号

IPC主分类号：

C04B35/01

IPC分类号：

C04B35/622

代理机构：

成都科海专利事务有限责任公司 51202

代理人：

岳英

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-07	公开	公开
2024-06-25	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C04B 35/01申请日:20240202

共 50 条

[1]

铁锡共掺杂非晶氧化镓基强铁磁性陶瓷薄膜 [P].

向钢 ;

龚丹 ;

张析 ;

聂娅 .

中国专利 :CN120943610A ,2025-11-14

[2]

一种锰掺杂氧化镓基磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法 [P].

向钢 ;

代旭 ;

张析 .

中国专利 :CN114804924A ,2022-07-29

[3]

一种稀土掺杂氧化镓薄膜材料及其制备方法和应用 [P].

黄丰 ;

黄舜泽 ;

林日成 ;

许建忠 ;

钱鑫 ;

陈浩 ;

张泽文慧 ;

赖锡威 .

中国专利 :CN119411085A ,2025-02-11

[4]

一种应变诱导铁磁性Mn掺杂MoS<sub>2</sub>薄膜材料及其制备方法 [P].

林雪玲 ;

潘凤春 ;

高华 .

中国专利 :CN121127117A ,2025-12-12

[5]

一种锂钛共掺杂氧化镍基陶瓷薄膜及其制备方法 [P].

张波萍 ;

董燕 ;

张雅如 .

中国专利 :CN1290795C ,2005-11-23

[6]

高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料及其制备方法 [P].

刘国磊 ;

曹强 ;

颜世申 ;

梅良模 ;

陈延学 .

中国专利 :CN103400679B ,2013-11-20

[7]

一种β相氧化镓薄膜及其制备和掺杂方法 [P].

任卫 ;

张博宇 ;

王伟杰 ;

冯爱玲 ;

周倩 ;

张亚明 ;

李仃 ;

李怡 .

中国专利 :CN115928014B ,2024-06-14

[8]

一种钇掺杂氧化铪基铁电薄膜材料及其制备方法与应用 [P].

毕磊 ;

粟怡杰 ;

秦俊 ;

邓龙江 .

中国专利 :CN112635670A ,2021-04-09

[9]

一种钛酸钡基磁性薄膜材料及其制备方法 [P].

林元华 ;

南策文 ;

张嵩印 .

中国专利 :CN101345118A ,2009-01-14

[10]

一种通过掺杂铁降低结晶温度的氧化镓薄膜制备方法 [P].

黄元琪 .

中国专利 :CN109411328B ,2019-03-01

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