一种应变诱导铁磁性Mn掺杂MoS<sub>2</sub>薄膜材料及其制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202511272632.8

申请日：

2025-09-08

公开(公告)号：

CN121127117A

公开(公告)日：

2025-12-12

发明(设计)人：

林雪玲潘凤春高华

申请人：

宁夏大学

申请人地址：

750021 宁夏回族自治区银川市西夏区贺兰山西路489号

IPC主分类号：

H10N50/85

IPC分类号：

H10N50/01 H10N50/20 H10B61/00 C23C14/35 C23C14/06 C23C14/58

代理机构：

北京瑞盛铭杰知识产权代理有限公司 11617

代理人：

屠安成

法律状态：

公开

国省代码：

宁夏回族自治区银川市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-12-12	公开	公开
2025-12-30	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H10N 50/85申请日:20250908

共 50 条

[1]

高掺杂ZnO:Co磁性半导体薄膜材料及其制备方法 [P].

刘国磊 ;

曹强 ;

颜世申 ;

梅良模 ;

陈延学 .

中国专利 :CN103400679B ,2013-11-20

[2]

一种具有室温铁磁性的Ge-SiN复合薄膜材料及其制备方法 [P].

甄聪棉 ;

刘秀敏 ;

刘渊博 ;

马丽 ;

侯登录 .

中国专利 :CN102832009A ,2012-12-19

[3]

单层MoS<sub>2</sub>薄膜的制备方法、薄膜材料、组件及装置 [P].

崔义 ;

雷浩 ;

魏伟 ;

龚忠苗 .

中国专利 :CN118028751A ,2024-05-14

[4]

一种铁掺杂氧化镓基强铁磁性陶瓷薄膜材料及其制备方法 [P].

向钢 ;

龚丹 ;

张析 .

中国专利 :CN118145964A ,2024-06-07

[5]

一种基于α-Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/MoS<sub>2</sub>复合薄膜材料的室温氨气传感器及其制备方法 [P].

李显 ;

钱荣 ;

曾旺 ;

泮嘉玮 ;

何成根 ;

盛成 .

中国专利 :CN120847207A ,2025-10-28

[6]

一种高厚度、高质量Ga<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜材料及其制备方法 [P].

董鑫 ;

党新明 ;

焦腾 ;

陈威 ;

张源涛 .

中国专利 :CN114899106B ,2025-01-14

[7]

一种磁性半导体材料及其制备方法 [P].

邓晨华 ;

于忠海 ;

孔森 ;

杨森 .

中国专利 :CN114156405B ,2025-11-28

[8]

一种磁性半导体材料及其制备方法 [P].

邓晨华 ;

于忠海 ;

孔森 ;

杨森 .

中国专利 :CN114156405A ,2022-03-08

[9]

一种通过磁控溅射在Si/SiO<sub>2</sub>衬底上制备HfO<sub>2</sub>薄膜优化Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜生长的方法及Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜 [P].

唐家轩 ;

徐锋 ;

徐桂舟 ;

陈喜 ;

陈雨莹 .

中国专利 :CN118880257A ,2024-11-01

[10]

一种多周期Bi<sub>2</sub>Te<sub>3</sub>基热电薄膜材料及其制备方法 [P].

王国祥 ;

周焱 ;

陈颖琦 ;

陈益敏 ;

沈祥 .

中国专利 :CN118613131A ,2024-09-06

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