单层MoS<sub>2</sub>薄膜的制备方法、薄膜材料、组件及装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410181289.5

申请日：

2024-02-18

公开(公告)号：

CN118028751A

公开(公告)日：

2024-05-14

发明(设计)人：

崔义雷浩魏伟龚忠苗

申请人：

中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所

申请人地址：

215123 江苏省苏州市工业园区若水路398号

IPC主分类号：

C23C14/35

IPC分类号：

C23C14/06 C23C14/16 C23C14/58

代理机构：

苏州三英知识产权代理有限公司 32412

代理人：

朱如松

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

北京市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-31	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/35申请日:20240218
2024-05-14	公开	公开

共 50 条

[1]

一种均匀单层MA<sub>2</sub>Z<sub>4</sub>薄膜的制备方法 [P].

任文才 ;

孙素 ;

徐川 ;

何承俭 ;

成会明 .

中国专利 :CN118166333A ,2024-06-11

[2]

一种晶圆级单层MoS<sub>2</sub>薄膜及其制备方法 [P].

王勇 ;

成梓萱 ;

杨定怡 ;

刘艳 ;

韩根全 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119243114A ,2025-01-03

[3]

一种晶圆级单层MoS<sub>2</sub>薄膜及其制备方法 [P].

王勇 ;

成梓萱 ;

杨定怡 ;

刘艳 ;

韩根全 ;

郝跃 .

中国专利 :CN119243114B ,2025-10-10

[4]

Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜材料及基于溶胶-凝胶法制备Sb<sub>2</sub>O<sub>3</sub>薄膜材料的方法和应用 [P].

李欣芮 ;

何秋蔚 ;

赵雨杰 ;

陈雪 ;

彭彪林 ;

刘来君 .

中国专利 :CN114774891B ,2024-01-16

[5]

一种成分连续可调的均匀掺杂单层MA<sub>2</sub>Z<sub>4</sub>合金薄膜的制备方法 [P].

任文才 ;

孙素 ;

徐川 ;

成会明 .

中国专利 :CN118127462A ,2024-06-04

[6]

一种通过磁控溅射在Si/SiO<sub>2</sub>衬底上制备HfO<sub>2</sub>薄膜优化Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜生长的方法及Bi<sub>2</sub>O<sub>2</sub>Se薄膜 [P].

唐家轩 ;

徐锋 ;

徐桂舟 ;

陈喜 ;

陈雨莹 .

中国专利 :CN118880257A ,2024-11-01

[7]

一种应变诱导铁磁性Mn掺杂MoS<sub>2</sub>薄膜材料及其制备方法 [P].

林雪玲 ;

潘凤春 ;

高华 .

中国专利 :CN121127117A ,2025-12-12

[8]

一种基于α-Fe<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/MoS<sub>2</sub>复合薄膜材料的室温氨气传感器及其制备方法 [P].

李显 ;

钱荣 ;

曾旺 ;

泮嘉玮 ;

何成根 ;

盛成 .

中国专利 :CN120847207A ,2025-10-28

[9]

一种镁合金表面TiO<sub>2</sub>-MoS<sub>2</sub>二维薄膜的制备方法 [P].

刘琪 ;

来龙杰 ;

胡继月 ;

李俊松 ;

冒国兵 .

中国专利 :CN114959837B ,2025-09-30

[10]

一种高性能Bi<sub>2</sub>Se<sub>3</sub>热电薄膜的制备方法 [P].

李志亮 ;

高志 ;

王淑芳 ;

侯帅航 ;

宁兴坤 .

中国专利 :CN120006215A ,2025-05-16

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