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晶圆刻蚀装置及其刻蚀方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311443732.3
申请日：
2023-11-01
公开(公告)号：
CN117558607A
公开(公告)日：
2024-02-13
发明(设计)人：
刘聪
储郁冬
申请人：
上海积塔半导体有限公司
申请人地址：
200123 上海市浦东新区中国（上海）自由贸易试验区临港新片区云水路600号
IPC主分类号：
H01J37/32
IPC分类号：
H01L21/3065
代理机构：
上海盈盛知识产权代理事务所(普通合伙) 31294
代理人：
赵娟娟
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
上海市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-03-01 | 实质审查的生效 | 实质审查的生效IPC(主分类):H01J 37/32申请日:20231101 |
| 2024-02-13 | 公开 | 公开 |