一种晶圆刻蚀方法及其刻蚀装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202411376259.6

申请日：

2024-09-30

公开(公告)号：

CN119252768B

公开(公告)日：

2025-04-29

发明(设计)人：

吴昊冯羽

申请人：

嘉兴傲威半导体有限公司

申请人地址：

314000 浙江省嘉兴市海宁市马桥街道沧平路1号1幢1层103室

IPC主分类号：

H01L21/67

IPC分类号：

H01L21/68 H01L21/306

代理机构：

无锡知更鸟知识产权代理事务所(普通合伙) 32468

代理人：

张胜飞

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2025-04-29	授权	授权
2025-01-21	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/67申请日:20240930
2025-01-03	公开	公开

共 50 条

[1]

一种晶圆刻蚀方法及其刻蚀装置 [P].

吴昊 ;

冯羽 .

中国专利 :CN119252768A ,2025-01-03

[2]

晶圆刻蚀装置及晶圆刻蚀方法 [P].

李丹 ;

高英哲 ;

张文福 ;

刘家桦 ;

叶日铨 .

中国专利 :CN109950180A ,2019-06-28

[3]

晶圆刻蚀装置及其刻蚀方法 [P].

刘聪 ;

储郁冬 .

中国专利 :CN117558607A ,2024-02-13

[4]

晶圆刻蚀方法 [P].

刘浩 .

中国专利 :CN120033075A ,2025-05-23

[5]

斜面刻蚀装置及晶圆刻蚀方法 [P].

戴绍龙 ;

肖正梨 ;

胡军 .

中国专利 :CN108666244A ,2018-10-16

[6]

刻蚀装置和晶圆刻蚀方法 [P].

张涛 ;

张彬彬 ;

苏財钰 ;

陈洋 ;

黄先康 .

中国专利 :CN117711897A ,2024-03-15

[7]

一种刻蚀机台的晶圆刻蚀方法 [P].

吴晓彤 ;

吴智勇 .

中国专利 :CN115662891A ,2023-01-31

[8]

晶圆及其刻蚀方法 [P].

汪良恩 ;

张小明 ;

汪曦凌 .

中国专利 :CN104465360A ,2015-03-25

[9]

晶圆刻蚀系统及晶圆刻蚀方法 [P].

梁梦诗 ;

聂钰节 .

中国专利 :CN109698147A ,2019-04-30

[10]

一种晶圆刻蚀装置及刻蚀方法 [P].

李彦庆 ;

孙守红 ;

余毅 ;

郭同健 ;

何锋赟 ;

张海宇 .

中国专利 :CN117810136B ,2024-04-30

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