一种金属基传感器表面高绝缘薄膜制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311300056.4

申请日：

2023-10-09

公开(公告)号：

CN117344270A

公开(公告)日：

2024-01-05

发明(设计)人：

刘延李华峰张锦张全伟程发斌王远王珏

申请人：

中国工程物理研究院总体工程研究所

申请人地址：

621908 四川省绵阳市绵山路64号

IPC主分类号：

C23C14/10

IPC分类号：

C23C14/58 C23C14/46 C23C14/02

代理机构：

成都贞元会专知识产权代理有限公司 51390

代理人：

王大刚

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-01-05	公开	公开
2024-01-23	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 14/10申请日:20231009

共 50 条

[1]

热流传感器、绝缘薄膜及其制备方法 [P].

杨玉 ;

段青松 ;

漆锐 ;

谭庆 ;

邓惠丹 ;

李秀玲 ;

张建波 ;

陈南菲 .

中国专利 :CN118814117A ,2024-10-22

[2]

一种金属基薄膜传感器的制备方法 [P].

赵晓辉 ;

杨柯 ;

王亦然 ;

蒋书文 ;

蒋洪川 ;

熊杰 ;

张万里 .

中国专利 :CN104789926B ,2015-07-22

[3]

一种金属基薄膜热流微传感器及其制备方法 [P].

罗剑 ;

金新航 ;

马炳和 ;

田勇 ;

张韬 ;

刘赟哲 .

中国专利 :CN114107923B ,2022-03-01

[4]

一种薄膜传感器用多层复合绝缘薄膜、制备方法及其应用 [P].

张林 ;

王雅倩 ;

郑军 ;

张世宏 ;

万志鑫 .

中国专利 :CN118600421A ,2024-09-06

[5]

一种改善金属基底表面缺陷的传感器薄膜及制备方法和传感器 [P].

王国秋 ;

段炳梁 .

中国专利 :CN121204631A ,2025-12-26

[6]

一种带复合绝缘层的金属基薄膜传感器及其制备方法 [P].

赵晓辉 ;

王亦然 ;

杨柯 ;

蒋书文 ;

蒋洪川 ;

熊杰 ;

张万里 .

中国专利 :CN104726862A ,2015-06-24

[7]

薄膜应变传感器制备方法 [P].

李学瑞 ;

李文博 ;

李炯利 ;

王旭东 .

中国专利 :CN110487166A ,2019-11-22

[8]

一种金属基陶瓷传感器及其制备方法 [P].

董和磊 ;

王宇 ;

谭秋林 ;

庞俊奇 .

中国专利 :CN117798369B ,2024-05-07

[9]

一种金属基陶瓷传感器及其制备方法 [P].

董和磊 ;

王宇 ;

谭秋林 ;

庞俊奇 .

中国专利 :CN117798369A ,2024-04-02

[10]

一种绝缘薄膜 [P].

沈佐承 .

中国专利 :CN201741513U ,2011-02-09

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