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一种改善金属基底表面缺陷的传感器薄膜及制备方法和传感器
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202511224748.4
申请日
:
2025-08-29
公开(公告)号
:
CN121204631A
公开(公告)日
:
2025-12-26
发明(设计)人
:
王国秋
段炳梁
申请人
:
湖南启泰传感科技有限公司
申请人地址
:
410000 湖南省长沙市浏阳高新开发区鼎盛路22号
IPC主分类号
:
C23C16/34
IPC分类号
:
C23C16/44
C23C16/505
C23C16/52
C23C16/56
代理机构
:
深圳市科冠知识产权代理有限公司 44355
代理人
:
傅俏梅
法律状态
:
公开
国省代码
:
河北省 保定市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2025-12-26
公开
公开
共 50 条
[1]
基于金属基底的压电薄膜传感器及加工工艺
[P].
王凤起
论文数:
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机构:
中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
王凤起
;
廖成
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中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
廖成
;
冉小龙
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中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
冉小龙
;
叶勤燕
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中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
叶勤燕
;
何绪林
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中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
何绪林
;
罗坤
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中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
罗坤
;
郑兴平
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机构:
中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
郑兴平
.
中国专利
:CN119403429A
,2025-02-07
[2]
制备薄膜传感器的丝网印刷装置、加工工艺及薄膜传感器
[P].
冉小龙
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冉小龙
;
廖成
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廖成
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罗坤
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罗坤
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何绪林
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何绪林
;
叶勤燕
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叶勤燕
;
郑兴平
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郑兴平
.
中国专利
:CN115320227A
,2022-11-11
[3]
制备薄膜传感器的丝网印刷装置、加工工艺及薄膜传感器
[P].
冉小龙
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机构:
中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
冉小龙
;
廖成
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中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
廖成
;
罗坤
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中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
罗坤
;
何绪林
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中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
何绪林
;
叶勤燕
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机构:
中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
叶勤燕
;
郑兴平
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机构:
中物院成都科学技术发展中心
中物院成都科学技术发展中心
郑兴平
.
中国专利
:CN115320227B
,2024-09-20
[4]
薄膜应变传感器制备方法
[P].
李学瑞
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李学瑞
;
李文博
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李文博
;
李炯利
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李炯利
;
王旭东
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王旭东
.
中国专利
:CN110487166A
,2019-11-22
[5]
一种基于金属基底的薄膜传感器及紧固件
[P].
何绪林
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何绪林
;
廖成
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廖成
;
冉小龙
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冉小龙
;
叶勤燕
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叶勤燕
;
罗坤
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罗坤
;
郑兴平
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郑兴平
.
中国专利
:CN115589763A
,2023-01-10
[6]
一种金属基底热流传感器及其制备方法
[P].
张浩
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张浩
;
张月鑫
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张月鑫
;
余浪
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余浪
;
曾庆平
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曾庆平
;
周国方
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周国方
.
中国专利
:CN115683396A
,2023-02-03
[7]
一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构
[P].
曹建峰
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曹建峰
.
中国专利
:CN112601368A
,2021-04-02
[8]
一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构
[P].
曹建峰
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曹建峰
;
毛羽宏
论文数:
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毛羽宏
.
中国专利
:CN214046190U
,2021-08-24
[9]
一种基于金属基底的薄膜传感器绝缘层复合结构
[P].
曹建峰
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0
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0
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0
机构:
曹建峰
曹建峰
曹建峰
.
中国专利
:CN112601368B
,2025-04-01
[10]
一种激光超声传感器的制备方法、阵列式传感器及系统
[P].
论文数:
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机构:
夏慧
;
论文数:
引用数:
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机构:
刘国强
.
中国专利
:CN117470973A
,2024-01-30
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