多孔结构及单晶衬底的制备方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311780234.8

申请日：

2023-12-21

公开(公告)号：

CN117888204A

公开(公告)日：

2024-04-16

发明(设计)人：

庄文荣张锐华卢敬权

申请人：

东莞市中镓半导体科技有限公司

申请人地址：

523000 广东省东莞市企石镇科技工业园

IPC主分类号：

C30B29/60

IPC分类号：

C30B29/38 C30B33/10 C30B23/02 H01L21/02

代理机构：

上海光华专利事务所(普通合伙) 31219

代理人：

罗泳文

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

广东省东莞市

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 29/60申请日:20231221
2024-04-16	公开	公开

共 50 条

[1]

多孔结构及单晶衬底的制备方法 [P].

庄文荣 ;

卢敬权 .

中国专利 :CN117888188A ,2024-04-16

[2]

制备单晶GaN衬底的方法及单晶GaN衬底 [P].

笠井仁 ;

元木健作 .

中国专利 :CN1670918A ,2005-09-21

[3]

单晶衬底的制备方法 [P].

卢敬权 .

中国专利 :CN115148579A ,2022-10-04

[4]

具有多孔结构的复合衬底、LED芯片和复合衬底的制作方法 [P].

庄文荣 ;

卢敬权 .

中国专利 :CN118173680A ,2024-06-11

[5]

一种金属玻璃纳米多孔结构的制备方法 [P].

王晶 ;

严绪东 ;

曹雪峰 .

中国专利 :CN106676619B ,2017-05-17

[6]

基于氮化物单晶衬底的半导体器件结构及其制备方法 [P].

王国斌 ;

闫其昂 .

中国专利 :CN114759126B ,2022-07-15

[7]

GaN单晶衬底和GaN单晶衬底的表面加工方法 [P].

郑镇石 ;

李基秀 ;

金京俊 ;

李柱宪 ;

秦昌旭 .

中国专利 :CN101174597A ,2008-05-07

[8]

透明单晶AlN的制备方法及衬底、紫外发光器件 [P].

刘乃鑫 ;

魏同波 ;

魏学成 ;

王军喜 ;

李晋闽 .

中国专利 :CN109461644B ,2019-03-12

[9]

氮化镓单晶衬底的制备方法 [P].

卢敬权 ;

庄文荣 ;

孙明 .

中国专利 :CN111769036A ,2020-10-13

[10]

氮化铝单晶衬底的制备方法 [P].

王增华 ;

程红娟 ;

王英民 ;

张弛 ;

张丽 ;

高飞 ;

张颖 .

中国专利 :CN120119323A ,2025-06-10

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