一种半导体结构及半导体工艺方法

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202311788055.9
申请日
2023-12-22
公开(公告)号
CN117894748A
公开(公告)日
2024-04-16
发明(设计)人
韩浩 曾海 胡启涛 花蔚蔚
申请人
杭州富芯半导体有限公司
申请人地址
311418 浙江省杭州市富阳区灵桥镇滨富大道135号(滨富合作区)
IPC主分类号
H01L21/768
IPC分类号
代理机构
上海光华专利事务所(普通合伙) 31219
代理人
丁俊萍
法律状态
公开
国省代码
浙江省 杭州市
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共 50 条
[1]
一种半导体结构、半导体器件及半导体工艺方法 [P]. 
王宇 ;
习艳军 ;
陈勇树 .
中国专利 :CN118553609A ,2024-08-27
[2]
半导体结构及半导体工艺方法 [P]. 
严孟 ;
朱继锋 ;
胡思平 .
中国专利 :CN110060957A ,2019-07-26
[3]
半导体结构及半导体工艺方法 [P]. 
严孟 ;
付洋 ;
朱继锋 ;
胡思平 ;
王家文 ;
邓卫之 .
中国专利 :CN110060958A ,2019-07-26
[4]
一种半导体工艺方法及半导体结构 [P]. 
刘聪 ;
吴龙飞 ;
王甄 .
中国专利 :CN120048746A ,2025-05-27
[5]
一种半导体工艺方法及半导体结构 [P]. 
任森 ;
于海龙 ;
董信国 .
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[6]
一种半导体结构及半导体工艺方法 [P]. 
高定成 ;
薛忠营 ;
魏星 ;
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[7]
一种半导体工艺方法及半导体结构 [P]. 
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[8]
一种半导体工艺方法及半导体结构 [P]. 
刘聪 ;
孟昭生 ;
陆琦 .
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[9]
一种半导体工艺方法及半导体结构 [P]. 
汪盼盼 ;
沈显青 ;
袁慎顽 ;
李东 .
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[10]
一种深槽结构、半导体结构及半导体工艺方法 [P]. 
王宇 ;
郭祝 ;
陈勇树 .
中国专利 :CN118486647A ,2024-08-13