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在半导体器件中形成微图案的方法
被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN201811080916.7
申请日：
2018-09-17
公开(公告)号：
CN110911272B
公开(公告)日：
2024-05-03
发明(设计)人：
高玮
申请人：
长鑫存储技术有限公司
申请人地址：
230000 安徽省合肥市经济技术开发区翠微路6号海恒大厦630室
IPC主分类号：
H01L21/033
IPC分类号：
代理机构：
代理人：
法律状态：
授权
国省代码：
安徽省
宣城市
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法律状态
| 法律状态公告日 | 法律状态 | 法律状态信息 |
| 2024-05-03 | 授权 | 授权 |