一种磷化铟单晶生成装置

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410398496.6

申请日：

2024-04-03

公开(公告)号：

CN118064973A

公开(公告)日：

2024-05-24

发明(设计)人：

范博

申请人：

中讯半导体（江苏）有限公司

申请人地址：

213000 江苏省常州市武进国家高新技术产业开发区西湖西路160号20幢20号

IPC主分类号：

C30B28/02

IPC分类号：

C30B29/40 C30B11/00

代理机构：

代理人：

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-24	公开	公开
2024-10-11	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C30B 28/02申请日:20240403

共 50 条

[1]

一种磷化铟单晶生成装置 [P].

范博 .

中国专利 :CN222226646U ,2024-12-24

[2]

一种磷化铟单晶生成装置 [P].

范博 .

中国专利 :CN118704093A ,2024-09-27

[3]

磷化铟单晶和磷化铟单晶衬底 [P].

桥尾克司 ;

鸿池一晓 ;

柳泽拓弥 .

日本专利 :CN112204175B ,2024-03-26

[4]

磷化铟单晶和磷化铟单晶衬底 [P].

桥尾克司 ;

鸿池一晓 ;

柳泽拓弥 .

中国专利 :CN112204175A ,2021-01-08

[5]

磷化铟单晶的制备方法以及磷化铟单晶 [P].

摆易寒 ;

沈桂英 ;

赵有文 ;

谢辉 ;

卢伟 ;

李晨慧 ;

杨文文 ;

吕鑫雨 ;

范江涛 .

中国专利 :CN119776991A ,2025-04-08

[6]

一种磷化铟单晶生长装置 [P].

关活明 .

中国专利 :CN206624947U ,2017-11-10

[7]

磷化铟单晶衬底以及磷化铟单晶的制造方法 [P].

木户优花 ;

坂本良二 ;

柳泽拓弥 ;

善积祐介 ;

桥尾克司 .

日本专利 :CN119768572A ,2025-04-04

[8]

磷化铟基板、磷化铟单晶及其制造方法 [P].

川瀬智博 .

中国专利 :CN1784514A ,2006-06-07

[9]

可控磷化铟单晶生长装置 [P].

朱建华 ;

曾平生 ;

王坚 ;

刘芳芳 ;

刘重伟 ;

吴选高 ;

彭彦 ;

黄大霜 .

中国专利 :CN221956232U ,2024-11-05

[10]

一种磷化铟单晶受控生长装置 [P].

朱建华 .

中国专利 :CN207512313U ,2018-06-19

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