制备聚硅氧烷的前体、聚硅氧烷及其制备方法、聚硅氧烷树脂及其制备方法和光电子器件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202180049176.4

申请日：

2021-07-02

公开(公告)号：

CN115803366B

公开(公告)日：

2024-02-09

发明(设计)人：

吉多·基克尔比克丹尼斯·迈耶

申请人：

AMS-欧司朗国际有限公司

申请人地址：

德国雷根斯堡

IPC主分类号：

C08G77/20

IPC分类号：

代理机构：

北京柏杉松知识产权代理事务所(普通合伙) 11413

代理人：

王贺达;刘继富

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-02-09	授权	授权

共 50 条

[1]

聚硅氧烷及其制备 [P].

S·韦斯特尔 ;

A·瑟吉纳 ;

P·C·霍普菲尔德 .

中国专利 :CN100415804C ,2006-07-05

[2]

聚硅氧烷离子液体及其制备方法 [P].

胡扬剑 ;

舒友 ;

陈迪钊 ;

欧阳跃军 .

中国专利 :CN109608642A ,2019-04-12

[3]

有机聚硅氧烷及其制备方法 [P].

F·加纳绍 ;

E·弗勒里 ;

D·波尔坦哈德阿尔梅达 ;

A·热内 ;

E·普盖 .

中国专利 :CN107429063A ,2017-12-01

[4]

体型聚硅氧烷离子液体及其制备方法 [P].

胡扬剑 ;

吴峰 ;

陈迪钊 ;

刘益林 ;

蒋霞 .

中国专利 :CN109627443A ,2019-04-16

[5]

有机聚硅氧烷树脂及其制备方法 [P].

王凌伟 ;

饶磊 ;

张宇 ;

蔡华轮 ;

张利萍 .

中国专利 :CN107459651A ,2017-12-12

[6]

聚硅氧烷单体及其制备方法 [P].

冈村薰 .

中国专利 :CN110494457B ,2019-11-22

[7]

聚硅氧烷薄膜及其制备方法 [P].

须藤通孝 ;

D·E·凯特索里斯 ;

栉引信男 .

中国专利 :CN1662608A ,2005-08-31

[8]

有机聚硅氧烷及其制备方法 [P].

C·赫尔齐希 ;

H·劳滕施拉格尔 .

中国专利 :CN101233172A ,2008-07-30

[9]

有机聚硅氧烷及其制备方法 [P].

广神宗直 ;

土田和弘 ;

工藤宗夫 .

中国专利 :CN103509190B ,2014-01-15

[10]

水性无机聚硅氧烷树脂及其制备方法 [P].

郝隆 ;

朱勇 .

中国专利 :CN107383373A ,2017-11-24

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