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双应力介质层的制造方法
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202410330351.2
申请日
:
2024-03-21
公开(公告)号
:
CN118053812A
公开(公告)日
:
2024-05-17
发明(设计)人
:
张瑜
鲍宇
申请人
:
上海华力集成电路制造有限公司
申请人地址
:
201203 上海市浦东新区康桥东路298号1幢1060室
IPC主分类号
:
H01L21/8238
IPC分类号
:
H01L21/768
代理机构
:
上海浦一知识产权代理有限公司 31211
代理人
:
郭四华
法律状态
:
公开
国省代码
:
上海市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-05-17
公开
公开
2024-06-04
实质审查的生效
实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/8238申请日:20240321
共 50 条
[1]
栅介质层的制造方法
[P].
刘厥扬
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘厥扬
.
中国专利
:CN108447782A
,2018-08-24
[2]
栅极介质层制造方法
[P].
孙鹏
论文数:
0
引用数:
0
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0
孙鹏
;
刘丽丽
论文数:
0
引用数:
0
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0
刘丽丽
;
仇峰
论文数:
0
引用数:
0
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0
仇峰
.
中国专利
:CN102194684A
,2011-09-21
[3]
介质层的制造方法
[P].
王妍
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
王妍
;
黄加香
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
黄加香
;
李琳
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
李琳
;
管毓崧
论文数:
0
引用数:
0
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0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
管毓崧
;
李宗旭
论文数:
0
引用数:
0
h-index:
0
机构:
华虹半导体(无锡)有限公司
华虹半导体(无锡)有限公司
李宗旭
.
中国专利
:CN117712029A
,2024-03-15
[4]
栅极介质层及栅极的制造方法
[P].
虞肖鹏
论文数:
0
引用数:
0
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0
虞肖鹏
.
中国专利
:CN101290886B
,2008-10-22
[5]
一种电介质层的制造方法
[P].
张翠
论文数:
0
引用数:
0
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0
张翠
.
中国专利
:CN103594354A
,2014-02-19
[6]
介质层的形成方法及双镶嵌结构的制造方法
[P].
聂佳相
论文数:
0
引用数:
0
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0
聂佳相
.
中国专利
:CN100590810C
,2009-01-28
[7]
整合不同厚度的栅介质层的制造方法
[P].
陆连
论文数:
0
引用数:
0
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0
陆连
;
朱轶铮
论文数:
0
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0
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0
朱轶铮
;
孟祥国
论文数:
0
引用数:
0
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0
孟祥国
.
中国专利
:CN114446879A
,2022-05-06
[8]
膜层应力检测方法
[P].
何伟明
论文数:
0
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0
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0
何伟明
;
林益世
论文数:
0
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0
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0
林益世
.
中国专利
:CN101197299A
,2008-06-11
[9]
层间介质层的刻蚀方法
[P].
戴鸿冉
论文数:
0
引用数:
0
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0
戴鸿冉
.
中国专利
:CN110071110A
,2019-07-30
[10]
层间膜的制造方法
[P].
李昱廷
论文数:
0
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0
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李昱廷
;
刘怡良
论文数:
0
引用数:
0
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刘怡良
;
却玉蓉
论文数:
0
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0
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却玉蓉
;
龚昌鸿
论文数:
0
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龚昌鸿
;
陈建勋
论文数:
0
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0
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0
陈建勋
.
中国专利
:CN108878288A
,2018-11-23
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