用于等离子体处理腔室的导热间隔件

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201980066147.1

申请日：

2019-09-04

公开(公告)号：

CN112823406B

公开(公告)日：

2024-03-12

发明(设计)人：

朴范洙 R·L·迪纳吴桑贞古田学艾伦·K·刘李建恒赵来崔寿永吉万·普拉卡什·塞奎拉陈威廷杨晓玲徐成航成元镐洪贤英

申请人：

应用材料公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

H01J37/32

IPC分类号：

代理机构：

北京律诚同业知识产权代理有限公司 11006

代理人：

徐金国;赵静

法律状态：

授权

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-03-12	授权	授权

共 50 条

[1]

用于等离子体处理腔室的导热间隔件 [P].

朴范洙 ;

R·L·迪纳 ;

吴桑贞 ;

古田学 ;

艾伦·K·刘 ;

李建恒 ;

赵来 ;

崔寿永 ;

吉万·普拉卡什·塞奎拉 ;

陈威廷 ;

杨晓玲 ;

徐成航 ;

成元镐 ;

洪贤英 .

中国专利 :CN112823406A ,2021-05-18

[2]

等离子体处理腔室及用于等离子体处理腔室的环 [P].

艾伦·L·丹布拉 ;

舍什拉伊·L·图尔什巴瓦勒 .

中国专利 :CN208908212U ,2019-05-28

[3]

等离子体处理腔室及用于等离子体处理腔室的环 [P].

艾伦·L·丹布拉 ;

舍什拉伊·L·图尔什巴瓦勒 .

中国专利 :CN207637742U ,2018-07-20

[4]

用于等离子体处理腔室的等离子体屏 [P].

M·T·尼科尔斯 ;

I·尤瑟夫 ;

J·A·奥马利三世 ;

R·丁德萨 ;

S·E·巴巴扬 .

中国专利 :CN109643630A ,2019-04-16

[5]

用于等离子体处理的装置和等离子体处理腔室 [P].

T·Q·特兰 ;

S·朴 ;

Z·翁 ;

D·卢博米尔斯基 .

中国专利 :CN206225317U ,2017-06-06

[6]

用于等离子体处理腔室的处理配件 [P].

兰皮拉凯什·桑卡拉克里沙南 .

中国专利 :CN206022311U ,2017-03-15

[7]

用于低温等离子体处理室的放电等离子体烧结组件 [P].

许临 ;

萨蒂什·斯里尼瓦桑 ;

哈米特.辛格 ;

约翰·多尔蒂 ;

潘卡基·哈扎里卡 .

美国专利 :CN119054041A ,2024-11-29

[8]

等离子体处理腔室及电极 [P].

陈金元 ;

崔强 ;

高颖 ;

尹志尧 ;

杜志游 .

中国专利 :CN203038891U ,2013-07-03

[9]

半导体处理腔室和等离子体处理腔室 [P].

D·卢博米尔斯基 .

中国专利 :CN207637743U ,2018-07-20

[10]

等离子体处理腔室的清洁方法 [P].

周军 ;

李江 ;

孙海辉 .

中国专利 :CN104752258A ,2015-07-01

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