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一种半导体外延片及其制备方法与应用
被引:0
专利类型
:
发明
申请号
:
CN202111422413.5
申请日
:
2021-11-26
公开(公告)号
:
CN114122204B
公开(公告)日
:
2024-03-12
发明(设计)人
:
闫其昂
王国斌
申请人
:
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址
:
215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
IPC主分类号
:
H01L33/00
IPC分类号
:
H01L33/22
H01L33/32
代理机构
:
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人
:
王茹
法律状态
:
授权
国省代码
:
江苏省 苏州市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-12
授权
授权
共 50 条
[1]
一种半导体外延片及其制备方法与应用
[P].
闫其昂
论文数:
0
引用数:
0
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0
闫其昂
;
王国斌
论文数:
0
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0
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0
王国斌
.
中国专利
:CN114122204A
,2022-03-01
[2]
高质量半导体外延片及其制备方法
[P].
闫其昂
论文数:
0
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0
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0
闫其昂
;
王国斌
论文数:
0
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0
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0
王国斌
.
中国专利
:CN114141615A
,2022-03-04
[3]
高质量半导体外延片及其制备方法
[P].
闫其昂
论文数:
0
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0
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机构:
江苏第三代半导体研究院有限公司
江苏第三代半导体研究院有限公司
闫其昂
;
王国斌
论文数:
0
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0
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机构:
江苏第三代半导体研究院有限公司
江苏第三代半导体研究院有限公司
王国斌
.
中国专利
:CN114141615B
,2025-12-12
[4]
一种半导体外延片及其制备方法
[P].
闫其昂
论文数:
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机构:
江苏第三代半导体研究院有限公司
江苏第三代半导体研究院有限公司
闫其昂
;
王国斌
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机构:
江苏第三代半导体研究院有限公司
江苏第三代半导体研究院有限公司
王国斌
.
中国专利
:CN120018659A
,2025-05-16
[5]
一种半导体外延片及其工艺方法
[P].
闫其昂
论文数:
0
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机构:
江苏第三代半导体研究院有限公司
江苏第三代半导体研究院有限公司
闫其昂
;
王国斌
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机构:
江苏第三代半导体研究院有限公司
江苏第三代半导体研究院有限公司
王国斌
.
中国专利
:CN119947359A
,2025-05-06
[6]
一种外延片及半导体外延器件
[P].
闫其昂
论文数:
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闫其昂
;
王国斌
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王国斌
.
中国专利
:CN217822838U
,2022-11-15
[7]
氮化物半导体外延片及其制备工艺
[P].
闫其昂
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机构:
江苏第三代半导体研究院有限公司
江苏第三代半导体研究院有限公司
闫其昂
;
王国斌
论文数:
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0
机构:
江苏第三代半导体研究院有限公司
江苏第三代半导体研究院有限公司
王国斌
.
中国专利
:CN120006393A
,2025-05-16
[8]
半导体外延片
[P].
苏军
论文数:
0
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0
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0
苏军
.
中国专利
:CN218101270U
,2022-12-20
[9]
一种氮化物外延层制备方法及其半导体外延片
[P].
闫其昂
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闫其昂
;
王国斌
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0
王国斌
.
中国专利
:CN114574959A
,2022-06-03
[10]
半导体外延片及其制备方法、微波通讯电晶体
[P].
杨翠柏
论文数:
0
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0
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0
杨翠柏
.
中国专利
:CN113823556A
,2021-12-21
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