一种半导体外延片及其制备方法与应用

被引:0
专利类型
发明
申请号
CN202111422413.5
申请日
2021-11-26
公开(公告)号
CN114122204B
公开(公告)日
2024-03-12
发明(设计)人
闫其昂 王国斌
申请人
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址
215000 江苏省苏州市工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
IPC主分类号
H01L33/00
IPC分类号
H01L33/22 H01L33/32
代理机构
南京利丰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 32256
代理人
王茹
法律状态
授权
国省代码
江苏省 苏州市
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共 50 条
[1]
一种半导体外延片及其制备方法与应用 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN114122204A ,2022-03-01
[2]
高质量半导体外延片及其制备方法 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN114141615A ,2022-03-04
[3]
高质量半导体外延片及其制备方法 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN114141615B ,2025-12-12
[4]
一种半导体外延片及其制备方法 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN120018659A ,2025-05-16
[5]
一种半导体外延片及其工艺方法 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN119947359A ,2025-05-06
[6]
一种外延片及半导体外延器件 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN217822838U ,2022-11-15
[7]
氮化物半导体外延片及其制备工艺 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN120006393A ,2025-05-16
[8]
半导体外延片 [P]. 
苏军 .
中国专利 :CN218101270U ,2022-12-20
[9]
一种氮化物外延层制备方法及其半导体外延片 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN114574959A ,2022-06-03
[10]
半导体外延片及其制备方法、微波通讯电晶体 [P]. 
杨翠柏 .
中国专利 :CN113823556A ,2021-12-21