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一种半导体外延片及其制备方法

被引：0
专利类型：
发明
申请号：
CN202311495854.7
申请日：
2023-11-10
公开(公告)号：
CN120018659A
公开(公告)日：
2025-05-16
发明(设计)人：
闫其昂 王国斌
申请人：
江苏第三代半导体研究院有限公司
申请人地址：
215000 江苏省苏州市苏州工业园区金鸡湖大道99号苏州纳米城中北区23幢214室
IPC主分类号：
H10H20/825
IPC分类号：
H10H20/01 C30B25/04 C30B29/40
代理机构：
苏州领跃知识产权代理有限公司 32370
代理人：
刘珊珊
法律状态：
实质审查的生效
国省代码：
江苏省 苏州市
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法律状态
法律状态公告日 法律状态 法律状态信息
2025-06-03 实质审查的生效 实质审查的生效IPC(主分类):H10H 20/825申请日:20231110
2025-05-16 公开 公开
共 50 条
[1]
一种半导体外延片及其工艺方法 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN119947359A ,2025-05-06
[2]
一种半导体外延片及其制备方法与应用 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN114122204B ,2024-03-12
[3]
一种半导体外延片及其制备方法与应用 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN114122204A ,2022-03-01
[4]
一种外延片及半导体外延器件 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN217822838U ,2022-11-15
[5]
半导体外延片 [P]. 
苏军 .
中国专利 :CN218101270U ,2022-12-20
[6]
一种氮化物外延层制备方法及其半导体外延片 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN114574959A ,2022-06-03
[7]
一种半导体外延片 [P]. 
孙一军 ;
金豫浙 ;
冯亚萍 ;
李志聪 ;
王国宏 .
中国专利 :CN206116447U ,2017-04-19
[8]
基于温度补偿的半导体外延片的制备方法及半导体外延片 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN114566571A ,2022-05-31
[9]
一种半导体外延片 [P]. 
陈海宁 .
中国专利 :CN209896040U ,2020-01-03
[10]
氮化物半导体外延片及其制备工艺 [P]. 
闫其昂 ;
王国斌 .
中国专利 :CN120006393A ,2025-05-16
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