一种单晶硅碱抛光添加剂及其制备方法和抛光方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311808332.8

申请日：

2023-12-26

公开(公告)号：

CN117946591A

公开(公告)日：

2024-04-30

发明(设计)人：

李翔

申请人：

无锡艾妮吉新能源科技有限公司

申请人地址：

214024 江苏省无锡市梁溪区南湖大道588号730-A03

IPC主分类号：

C09G1/04

IPC分类号：

B24B37/04

代理机构：

北京酷爱智慧知识产权代理有限公司 11514

代理人：

王海文

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-04-30	公开	公开
2024-05-17	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C09G 1/04申请日:20231226

共 50 条

[1]

一种单晶硅碱抛光添加剂及其使用方法 [P].

周浩 ;

陈心浩 ;

吴家阳 ;

彭丽 ;

王涛 ;

韩军 ;

常帅锋 .

中国专利 :CN114350265A ,2022-04-15

[2]

一种改善单晶硅碱抛光外观问题的添加剂及其抛光工艺 [P].

常帅锋 ;

陈心浩 ;

吴家阳 ;

周浩 ;

彭丽 ;

王涛 ;

韩军 .

中国专利 :CN114316804A ,2022-04-12

[3]

一种单晶硅助抛光添加剂及其应用 [P].

张鹏伟 ;

李侠 ;

冯萍萍 ;

殷政 ;

侯敏敏 .

中国专利 :CN116731614B ,2025-07-18

[4]

一种用于单晶硅快速抛光的碱抛光添加剂及其使用方法 [P].

吴家阳 ;

常帅锋 ;

李斯良 ;

韩军 ;

邓泽晟 ;

蒲兴文 ;

丁雁鸿 ;

段艳全 ;

邱军辉 ;

卓浩 ;

徐一军 .

中国专利 :CN119220184B ,2025-10-21

[5]

一种用于单晶硅快速抛光的碱抛光添加剂及其使用方法 [P].

吴家阳 ;

常帅锋 ;

李斯良 ;

韩军 ;

邓泽晟 ;

蒲兴文 ;

丁雁鸿 ;

段艳全 ;

邱军辉 ;

卓浩 ;

徐一军 .

中国专利 :CN119220184A ,2024-12-31

[6]

单晶硅片碱抛光用添加剂及其应用 [P].

杨勇 ;

章圆圆 ;

陈培良 .

中国专利 :CN113668067B ,2021-11-19

[7]

一种单晶硅抛光碱刻蚀添加剂及其应用 [P].

吴伟峰 ;

凡宝安 ;

毛科人 .

中国专利 :CN116004232B ,2024-11-15

[8]

一种鱼鳞形塔基的单晶硅碱抛光添加剂及其使用方法 [P].

吴家阳 ;

武圆圆 ;

韩军 ;

李斯良 ;

丁雁鸿 .

中国专利 :CN118359995A ,2024-07-19

[9]

一种单晶碱抛光添加剂、抛光液及抛光方法 [P].

蒋旭东 ;

朱进 ;

蒋良平 .

中国专利 :CN113322008A ,2021-08-31

[10]

一种鱼鳞形塔基的单晶硅碱抛光添加剂及其使用方法 [P].

吴家阳 ;

武圆圆 ;

韩军 ;

李斯良 ;

丁雁鸿 .

中国专利 :CN118359995B ,2024-08-16

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