一种在衬底上沉积含硼膜的方法和设备

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202311648018.8

申请日：

2019-07-18

公开(公告)号：

CN117888078A

公开(公告)日：

2024-04-16

发明(设计)人：

马修·斯科特·韦默巴德里·N·瓦拉达拉简

申请人：

朗姆研究公司

申请人地址：

美国加利福尼亚州

IPC主分类号：

C23C16/32

IPC分类号：

C23C16/34 C23C16/36 C23C16/50 C23C16/505 C23C16/448 C23C16/455 C23C16/04 H01L21/02 H01J37/32

代理机构：

上海胜康律师事务所 31263

代理人：

樊英如;罗婷婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-05-03	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):C23C 16/32申请日:20190718
2024-04-16	公开	公开

共 50 条

[1]

在衬底上沉积材料的方法 [P].

吹上纪明 ;

凯瑟琳娜·巴比彻 .

中国专利 :CN100490069C ,2006-11-22

[2]

一种在树脂镜片上沉积碳膜的方法 [P].

蔺增 ;

彭勃 ;

巴德纯 .

中国专利 :CN1804665A ,2006-07-19

[3]

在衬底上沉积微晶硅的方法 [P].

A.戈迪恩 ;

T.基尔珀 ;

B.雷赫 ;

S.席科 .

中国专利 :CN102257630A ,2011-11-23

[4]

用于在衬底上沉积金属膜的方法及LED器件 [P].

田立飞 ;

夏威 .

中国专利 :CN105331940A ,2016-02-17

[5]

一种硅衬底上低温沉积氮化物薄膜的方法 [P].

王珍 ;

邓炳兰 ;

罗成 ;

徐龙权 ;

任毅博 .

中国专利 :CN117832058A ,2024-04-05

[6]

在衬底上沉积多层材料层的方法及化学气相沉积设备 [P].

梁秉文 .

中国专利 :CN103074616A ,2013-05-01

[7]

清洁图案化设备以及在衬底上沉积层系统的方法和系统 [P].

乌里·霍夫曼 ;

卓斯·曼纽尔·迪格茨－加波 .

中国专利 :CN101315879A ,2008-12-03

[8]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

美国专利 :CN119615129A ,2025-03-14

[9]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

美国专利 :CN115613010B ,2024-11-12

[10]

用于在衬底选择侧上沉积的PECVD沉积系统 [P].

法亚兹·谢赫 ;

尼克·林佰格 ;

柯蒂斯·贝利 .

中国专利 :CN115613010A ,2023-01-17

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