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一种碳化硅生长坩埚及碳化硅生长装置
被引:0
专利类型
:
实用新型
申请号
:
CN202321645714.9
申请日
:
2023-06-26
公开(公告)号
:
CN220550264U
公开(公告)日
:
2024-03-01
发明(设计)人
:
杨光宇
申请人
:
通威微电子有限公司
申请人地址
:
610299 四川省成都市双流区成都芯谷产业园区集中区内
IPC主分类号
:
C30B29/36
IPC分类号
:
C30B23/00
代理机构
:
北京超凡宏宇知识产权代理有限公司 11463
代理人
:
曹灿
法律状态
:
授权
国省代码
:
四川省 成都市
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法律状态
法律状态公告日
法律状态
法律状态信息
2024-03-01
授权
授权
共 50 条
[1]
一种碳化硅生长坩埚及碳化硅生长装置
[P].
姚忠冉
论文数:
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机构:
中科超芯(浙江)新材料科技有限公司
中科超芯(浙江)新材料科技有限公司
姚忠冉
;
吴国明
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机构:
中科超芯(浙江)新材料科技有限公司
中科超芯(浙江)新材料科技有限公司
吴国明
;
林敦
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机构:
中科超芯(浙江)新材料科技有限公司
中科超芯(浙江)新材料科技有限公司
林敦
.
中国专利
:CN120989727A
,2025-11-21
[2]
碳化硅生长装置和碳化硅生长炉
[P].
林育仪
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机构:
通威微电子有限公司
通威微电子有限公司
林育仪
.
中国专利
:CN220788875U
,2024-04-16
[3]
一种碳化硅生长装置及碳化硅生长系统
[P].
杨光宇
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机构:
通威微电子有限公司
通威微电子有限公司
杨光宇
.
中国专利
:CN220468248U
,2024-02-09
[4]
生长坩埚及碳化硅晶体生长装置
[P].
吴亚娟
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吴亚娟
;
陈俊宏
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陈俊宏
;
李兆颖
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李兆颖
;
周来平
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周来平
.
中国专利
:CN217378098U
,2022-09-06
[5]
碳化硅晶体生长用坩埚及碳化硅晶体生长装置
[P].
徐良
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徐良
;
蓝文安
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蓝文安
;
刘建哲
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刘建哲
;
余雅俊
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余雅俊
;
李京波
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李京波
;
夏建白
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夏建白
;
陈素春
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陈素春
.
中国专利
:CN215404657U
,2022-01-04
[6]
碳化硅生长装置
[P].
许成凯
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许成凯
;
陈俊宏
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陈俊宏
;
李兆颖
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李兆颖
.
中国专利
:CN217757756U
,2022-11-08
[7]
碳化硅生长装置
[P].
汪良
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汪良
;
张洁
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张洁
;
王旻峰
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王旻峰
.
中国专利
:CN214572360U
,2021-11-02
[8]
碳化硅单晶生长坩埚
[P].
王旻峰
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王旻峰
;
张洁
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张洁
;
汪良
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汪良
;
付芬
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付芬
;
邓树军
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邓树军
.
中国专利
:CN214572368U
,2021-11-02
[9]
碳化硅晶体生长用坩埚和碳化硅晶体生长装置
[P].
徐良
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徐良
;
曹力力
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曹力力
;
蓝文安
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蓝文安
;
朱卫祥
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朱卫祥
;
阳明益
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阳明益
;
刘建哲
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刘建哲
;
余雅俊
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余雅俊
.
中国专利
:CN210974929U
,2020-07-10
[10]
碳化硅单晶生长装置
[P].
伍艳
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
伍艳
;
周亮亮
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
周亮亮
;
叶磊
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
叶磊
;
王震威
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
王震威
;
高玉强
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机构:
湖南三安半导体有限责任公司
湖南三安半导体有限责任公司
高玉强
.
中国专利
:CN222594075U
,2025-03-11
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