一种适用于多晶硅背封硅片的返工利用方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN202410183805.8

申请日：

2024-02-19

公开(公告)号：

CN118098931A

公开(公告)日：

2024-05-28

发明(设计)人：

孙新利马俊吴晓峰杨建松陆燕于鹏辉

申请人：

浙江中晶新材料研究有限公司

申请人地址：

313100 浙江省湖州市长兴县太湖街道陆汇路59号

IPC主分类号：

H01L21/02

IPC分类号：

代理机构：

杭州西木子知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 33325

代理人：

周婷

法律状态：

实质审查的生效

国省代码：

浙江省湖州市

引用

下载

收藏

法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2024-06-14	实质审查的生效	实质审查的生效IPC(主分类):H01L 21/02申请日:20240219
2025-07-25	发明专利申请公布后的驳回	发明专利申请公布后的驳回IPC(主分类):H01L 21/02申请公布日:20240528
2024-05-28	公开	公开

共 50 条

[1]

一种改善有多晶硅背封的单晶硅片翘曲度的方法 [P].

吴泓明 ;

张田田 ;

钟佑生 ;

王文博 ;

李云鹏 ;

喻阳平 ;

张丽 .

中国专利 :CN118866710A ,2024-10-29

[2]

多晶硅锭的制备方法、多晶硅锭及多晶硅片 [P].

游达 ;

黄春来 ;

周声浪 ;

贾晨晨 .

中国专利 :CN104862778A ,2015-08-26

[3]

多晶硅工艺中断的返工方法 [P].

连世坤 ;

高宜健 ;

王坚 .

中国专利 :CN117328038A ,2024-01-02

[4]

一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法 [P].

张欣 .

中国专利 :CN107248494A ,2017-10-13

[5]

一种多晶硅薄膜的制备方法 [P].

张凌越 ;

姜波 ;

张俊利 .

中国专利 :CN110164756A ,2019-08-23

[6]

一种改善多晶硅薄膜翘曲的装置、方法及多晶硅片 [P].

冯煜轩 ;

庄琪 ;

庄俊健 .

中国专利 :CN121204822A ,2025-12-26

[7]

多晶硅锭的制备方法、多晶硅铸锭炉及硅片 [P].

孟召标 ;

张凤 ;

汪晨 .

中国专利 :CN104372404B ,2015-02-25

[8]

一种适用于多晶硅生产的硅耗降耗工艺及多晶硅生产工艺 [P].

刘逸枫 ;

钟国俊 ;

范超 ;

杨华 ;

何茂魁 ;

蔡光明 ;

罗轩 ;

罗明兵 ;

雷旭东 ;

王宇 ;

张青云 ;

冉进 .

中国专利 :CN119461382A ,2025-02-18

[9]

一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 [P].

钟德京 ;

万跃鹏 ;

张涛 ;

胡动力 ;

傅志斌 ;

简晖 ;

高建廷 ;

邹军 ;

陈志强 .

中国专利 :CN104499050A ,2015-04-08

[10]

一种多晶硅锭及其制备方法和多晶硅片 [P].

何亮 ;

胡动力 ;

张涛 ;

雷琦 ;

万跃鹏 .

中国专利 :CN102776555A ,2012-11-14

← 1 2 3 4 5 →