一种适用于宽尺寸沟槽的多晶硅填充方法

被引：0

专利类型：

发明

申请号：

CN201710564625.4

申请日：

2017-07-12

公开(公告)号：

CN107248494A

公开(公告)日：

2017-10-13

发明(设计)人：

张欣

申请人：

申请人地址：

410629 湖南省长沙市宁乡县龙田镇龙田新屋组

IPC主分类号：

H01L2102

IPC分类号：

H01L213065 H01L21311

代理机构：

深圳市兰锋知识产权代理事务所(普通合伙) 44419

代理人：

曹明兰

法律状态：

公开

国省代码：

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法律状态

法律状态公告日	法律状态	法律状态信息
2017-10-13	公开	公开
2020-09-01	授权	授权
2022-06-28	专利权的终止	未缴年费专利权终止 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170712 授权公告日:20200901 终止日期:20210712
2020-08-28	专利申请权、专利权的转移	专利申请权的转移 IPC(主分类):H01L 21/02 登记生效日:20200810 变更事项:申请人变更前权利人:张欣变更后权利人:南京溧水高新创业投资管理有限公司变更事项:地址变更前权利人:410629 湖南省长沙市宁乡县龙田镇龙田新屋组变更后权利人:210000 江苏省南京市溧水经济开发区柘塘街道福田路科创大厦
2017-11-10	实质审查的生效	实质审查的生效 IPC(主分类):H01L 21/02 申请日:20170712

共 50 条

[1]

一种多晶硅填充方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108054092B ,2018-05-18

[2]

IGBT栅极沟槽多晶硅的填充方法 [P].

刘继全 ;

孙勤 ;

李琳松 .

中国专利 :CN103035502A ,2013-04-10

[3]

用于沟槽的原位掺杂的多晶硅填充料 [P].

B·斯里尼瓦桑 ;

K·Q·勒 ;

C·怀特 ;

S·科威查罗恩库尔 ;

A·诺里斯 ;

B·J·费舍尔 .

中国专利 :CN105702716A ,2016-06-22

[4]

用于沟槽的原位掺杂的多晶硅填充料 [P].

B·斯里尼瓦桑 ;

K·Q·勒 ;

C·怀特 ;

S·科威查罗恩库尔 ;

A·诺里斯 ;

B·J·费舍尔 .

中国专利 :CN115036212A ,2022-09-09

[5]

一种适用于多晶硅背封硅片的返工利用方法 [P].

孙新利 ;

马俊 ;

吴晓峰 ;

杨建松 ;

陆燕 ;

于鹏辉 .

中国专利 :CN118098931A ,2024-05-28

[6]

一种适用于多晶硅生产的硅耗降耗工艺及多晶硅生产工艺 [P].

刘逸枫 ;

钟国俊 ;

范超 ;

杨华 ;

何茂魁 ;

蔡光明 ;

罗轩 ;

罗明兵 ;

雷旭东 ;

王宇 ;

张青云 ;

冉进 .

中国专利 :CN119461382A ,2025-02-18

[7]

适用于多晶硅厚膜的石英舟 [P].

马晓锋 ;

许涛 .

中国专利 :CN204966459U ,2016-01-13

[8]

适用于多晶硅厚膜的石英舟 [P].

马晓锋 ;

许涛 .

中国专利 :CN105006442B ,2015-10-28

[9]

多尺寸硅沟槽的填充方法 [P].

不公告发明人 .

中国专利 :CN108122836A ,2018-06-05

[10]

一种多晶硅沟槽回刻蚀方法 [P].

冯大贵 ;

吴长明 .

中国专利 :CN103377904A ,2013-10-30

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